行业组件数据 · 2026

高边与低边MOSFET

高边和低边MOSFET是成对的金属氧化物半导体场效应晶体管,用于电压调节模块(VRM)中的同步降压转换器。

技术定义与适配语境
典型 高边与低边MOSFET 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

高边和低边MOSFET是成对的金属氧化物半导体场效应晶体管,用于电压调节模块(VRM)中的同步降压转换器。高边MOSFET(控制FET)将输入电压切换到电感,而低边MOSFET(同步FET)在关断周期为电感电流提供通路,从而实现高效的DC-DC电压转换,并最小化功率损耗。 在VRM的同步降压转换器中,高边MOSFET导通,将输入电压施加到电感上,存储能量。当它关断时,低边MOSFET导通,允许电感电流续流,维持输出电压。它们以互补的PWM周期工作,并通过死区时间控制防止直通电流。

组件规格

定义
高边和低边MOSFET是成对的金属氧化物半导体场效应晶体管,用于电压调节模块(VRM)中的同步降压转换器。高边MOSFET(控制FET)将输入电压切换到电感,而低边MOSFET(同步FET)在关断周期为电感电流提供通路,从而实现高效的DC-DC电压转换,并最小化功率损耗。

在VRM的同步降压转换器中,高边MOSFET导通,将输入电压施加到电感上,存储能量。当它关断时,低边MOSFET导通,允许电感电流续流,维持输出电压。它们以互补的PWM周期工作,并通过死区时间控制防止直通电流。
工作原理
In a VRM's synchronous buck converter, the high-side MOSFET turns on to apply input voltage to the inductor, storing energy. When it turns off, the low-side MOSFET conducts, allowing inductor current to freewheel, maintaining output voltage. They operate in complementary PWM cycles, with dead-time control to prevent shoot-through currents.
材料
硅(Si)或宽禁带材料如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)用于高频应用铜或铝键合线环氧塑封料封装。
Package
PowerPAK, SO-8, D2PAK, QFN
Rds(on)
1mΩ to 10mΩ
Current Rating
30A to 100A
Voltage Rating
20V to 100V
Gate Charge (Qg)
10nC to 100nC
Switching Frequency
100kHz to 2MHz
标准
ISO 9001JEDEC JESD22AEC-Q101

行业分类与别名

高边与低边MOSFET 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Excessive junction temperature->MOSFET thermal shutdown or permanent damage->Implement thermal monitoring, use adequate heatsinks, and ensure proper airflow in the system.
Voltage transients from inductive loads->Gate-source overvoltage leading to breakdown->Add snubber circuits, use MOSFETs with higher Vgs ratings, and incorporate TVS diodes.
Insufficient dead-time in PWM control->Shoot-through current causing high power dissipation->Optimize dead-time in the controller IC, use gate drivers with adjustable timing.

工业生态与工程逻辑

0
Thermal runaway due to poor heatsinking
1
Gate oxide breakdown from voltage spikes
2
Shoot-through current if dead-time is insufficient
3
Electromigration at high temperatures

合规与检测

tolerance
±5% for voltage regulation, ±10% for current handling under specified conditions
test method
Dynamic load testing, thermal cycling per JESD22-A104, electrical characterization with curve tracers and oscilloscopes

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

What is the difference between high-side and low-side MOSFETs in a VRM?

The high-side MOSFET switches the input voltage to the inductor, while the low-side MOSFET provides a current path during the off-cycle, reducing conduction losses and improving efficiency.

Why are MOSFETs used in pairs in VRMs?

Paired MOSFETs enable synchronous rectification, where the low-side MOSFET replaces a diode, lowering voltage drop and power loss, especially at high currents.

What are key parameters when selecting these MOSFETs?

Critical specs include Rds(on) for conduction loss, gate charge for switching speed, voltage/current ratings, and thermal resistance for heat dissipation.

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 计算机、电子和光学产品制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

请求制造能力信息: 高边与低边MOSFET

说明目标数量、应用场景、交期和关键技术要求,用于准备 RFQ 或供应商评估。

谢谢,信息已发送。
谢谢,信息已收到。

需要制造 高边与低边MOSFET?

对比具备该组件加工或装配能力的制造商资料。

创建制造商档案 联系我们
上一个组件
高反射镜
下一个组件
高速时钟
URN:CNFX:ME:UNIT:HIGH_SIDE_LOW_SIDE_MOSFETS