行业组件数据 · 2026

红外探测器元件

红外探测器元件是一种基于半导体的电子元件,用于检测特定波长范围(通常为0.7-14 μm)内的红外辐射。

技术定义与适配语境
典型 红外探测器元件 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

红外探测器元件是一种基于半导体的电子元件,用于检测特定波长范围(通常为0.7-14 μm)内的红外辐射。它通过光电或热效应将入射的红外光子转换为可测量的电信号,从而在工业自动化中实现非接触温度测量、运动传感和热成像应用。 该元件通过光子检测(使用InGaAs、HgCdTe或热释电晶体等材料,在暴露于红外辐射时产生电荷)或热检测(使用热电堆或微测辐射热计,其电阻随温度变化)来工作。入射的红外辐射引起半导体材料中的电子激发,产生与辐射强度成正比的电压或电流,然后由相关电路放大和处理。

组件规格

定义
红外探测器元件是一种基于半导体的电子元件,用于检测特定波长范围(通常为0.7-14 μm)内的红外辐射。它通过光电或热效应将入射的红外光子转换为可测量的电信号,从而在工业自动化中实现非接触温度测量、运动传感和热成像应用。

该元件通过光子检测(使用InGaAs、HgCdTe或热释电晶体等材料,在暴露于红外辐射时产生电荷)或热检测(使用热电堆或微测辐射热计,其电阻随温度变化)来工作。入射的红外辐射引起半导体材料中的电子激发,产生与辐射强度成正比的电压或电流,然后由相关电路放大和处理。
工作原理
The element functions through either photonic detection (using materials like InGaAs, HgCdTe, or pyroelectric crystals that generate electrical charge when exposed to IR radiation) or thermal detection (using thermopiles or microbolometers that change resistance with temperature). Incident IR radiation causes electron excitation in semiconductor materials, producing voltage or current proportional to radiation intensity, which is then amplified and processed by associated circuitry.
材料
半导体材料:InGaAs(0.7-2.6 μm)、HgCdTe/MCT(3-5 μm8-14 μm)、InSb(3-5 μm)、热释电材料(LiTaO₃、PZT)、硅微测辐射热计封装:TO-5、TO-8或带锗/硅窗口的陶瓷封装电极:金键合丝。
Responsivity
1-10 V/W
Field of View
20°-120°
Response Time
1 ns-1 ms
Spectral Range
0.7-14 μm
Detectivity (D*)
10^8-10^11 cm·Hz¹/²/W
Operating Temperature
-40°C to +85°C
Noise Equivalent Power
10^-9-10^-12 W/Hz¹/²
标准
ISO 18434-1IEC 62471ASTM E1256

行业分类与别名

红外探测器元件 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Thermal stress from rapid temperature changes->Cracking of semiconductor material or packaging->Implement gradual temperature cycling in operation, use thermal interface materials, and design with expansion-matched materials
Electrostatic discharge during handling->Permanent damage to sensitive semiconductor junctions->Use ESD-protected workstations, proper grounding, and antistatic packaging during manufacturing and installation

工业生态与工程逻辑

0
Thermal drift affecting accuracy
1
Window contamination reducing sensitivity
2
Electrostatic discharge damage
3
Moisture ingress causing failure

合规与检测

tolerance
±2% of reading or ±2°C for temperature measurement applications
test method
Calibration against blackbody radiation sources per ASTM E1256, spectral response testing using monochromators, and environmental testing per IEC 60068-2 standards

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

What is the difference between photonic and thermal infrared detectors?

Photonic detectors (like InGaAs or HgCdTe) directly convert photons to electrons, offering faster response and higher sensitivity but require cooling. Thermal detectors (like pyroelectric or microbolometer) measure temperature changes, operating at room temperature with slower response but broader spectral range.

How do I select the right infrared detector element for my application?

Consider spectral range (match target emission wavelength), response time (faster for motion detection), sensitivity (D* value), operating temperature, and environmental conditions. For high-speed applications, choose photonic detectors; for cost-effective thermal imaging, select microbolometers.

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 计算机、电子和光学产品制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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URN:CNFX:ME:UNIT:INFRARED_DETECTOR_ELEMENT