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LED/激光芯片

繁體:LED/雷射晶片

LED/激光芯片是一种固态半导体器件,由GaAs、GaN或InP等化合物半导体材料制成。

技术定义与适配语境
典型 LED/激光芯片 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

LED/激光芯片是一种固态半导体器件,由GaAs、GaN或InP等化合物半导体材料制成。它作为有源区,电流注入引起电子-空穴复合,产生光子。对于LED,通过自发辐射产生非相干光;对于激光芯片,通过光学腔内的受激发射产生相干、单色光。关键参数包括波长、输出功率、效率和热特性。 LED基于电致发光原理:正向偏置时,电子和空穴在有源层复合,以光子形式释放能量。激光芯片利用受激发射:注入的载流子在有源区形成粒子数反转,光子谐振腔内激发进一步发射,产生具有特定波长和相位的相干光。

组件规格

定义
LED/激光芯片是一种固态半导体器件,由GaAs、GaN或InP等化合物半导体材料制成。它作为有源区,电流注入引起电子-空穴复合,产生光子。对于LED,通过自发辐射产生非相干光;对于激光芯片,通过光学腔内的受激发射产生相干、单色光。关键参数包括波长、输出功率、效率和热特性。

LED基于电致发光原理:正向偏置时,电子和空穴在有源层复合,以光子形式释放能量。激光芯片利用受激发射:注入的载流子在有源区形成粒子数反转,光子谐振腔内激发进一步发射,产生具有特定波长和相位的相干光。
工作原理
LED基于电致发光原理:正向偏置时,电子与空穴在有源层复合,以光子形式释放能量。激光芯片利用受激辐射:注入载流子在有源区形成粒子数反转,光子受激产生进一步辐射,在谐振腔内形成相干光,具有特定波长和相位。
材料
化合物半导体衬底:GaAs用于红外/红光GaN/InGaN用于蓝/绿/白光InP用于电信。外延层:多量子阱以提高效率。接触电极:金或铝用于p/n电极。封装:陶瓷或金属管壳硅胶封装。
寿命
>50,000 hourshours
波长
400-1600 nmnm
输出功率
1 mW - 10 WW
正向电压
1.8-3.6 VV
工作电流
20 mA - 2 AA
热阻
<10 K/WK/W
标准
ISO 23550IEC 60825-1JEDEC JESD51

行业分类与别名

LED/激光芯片 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

工作电流过大->过热和热退化->实施限流电路和主动热管理
焊点质量差->间歇性电气连接或开路->使用自动化焊接并进行过程控制和检查

工业生态与工程逻辑

适配说明
该芯片适用于工业发射器、光学传感器、条码扫描器和激光打标系统。订购前请确认波长、功率和封装尺寸与您的应用匹配。
常见供应商与等效型号
工程风险
  • 静电放电损伤
  • 冷却不足导致的热失控
  • 温度波动引起的波长漂移
  • 激光芯片的灾难性光学损伤

合规与检测

公差
波长公差 ±5 nm,功率输出公差 ±10%
检测方法
光谱辐射法测量光学特性,热成像法测量散热,按IEC 60068进行加速寿命测试

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

LED芯片和激光芯片有什么区别?

LED芯片通过自发辐射产生非相干、宽光谱的光,而激光芯片通过光学谐振腔中的受激辐射产生相干、窄光谱的光,具有更高的方向性和强度。

LED/激光芯片的常见失效模式有哪些?

常见失效包括过热导致的热退化、静电放电损伤、焊点疲劳,以及由于材料缺陷或老化引起的光输出衰减。

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 计算机、电子和光学产品制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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URN:CNFX:ME:UNIT:LED_LASER_CHIP
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