行业组件数据 · 2026

片上存储器

片上存储器是指直接制造在神经处理单元(NPU)处理器核心所在的同一半导体芯片上的存储器组件。

技术定义与适配语境
典型 片上存储器 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

片上存储器是指直接制造在神经处理单元(NPU)处理器核心所在的同一半导体芯片上的存储器组件。这种集成架构为神经网络计算提供超低延迟和高带宽的数据访问,在关键操作期间无需外部存储器接口。它通常包括以层次结构(L1/L2缓存、便笺存储器)组织的SRAM(静态随机存取存储器)块,针对AI工作负载中的张量运算和权重存储进行了优化。 片上存储器通过在NPU芯片内的SRAM单元中存储数据来工作,使用触发器电路,只要供电就能保持数据。它采用存储控制器和互连结构来管理处理器核心与存储体之间的数据移动。工作原理包括通过专用存储总线实现低延迟访问、多核NPU的缓存一致性协议,以及在神经网络推理和训练期间对权重、激活和中间结果进行同时访问的存储分区。

组件规格

定义
片上存储器是指直接制造在神经处理单元(NPU)处理器核心所在的同一半导体芯片上的存储器组件。这种集成架构为神经网络计算提供超低延迟和高带宽的数据访问,在关键操作期间无需外部存储器接口。它通常包括以层次结构(L1/L2缓存、便笺存储器)组织的SRAM(静态随机存取存储器)块,针对AI工作负载中的张量运算和权重存储进行了优化。

片上存储器通过在NPU芯片内的SRAM单元中存储数据来工作,使用触发器电路,只要供电就能保持数据。它采用存储控制器和互连结构来管理处理器核心与存储体之间的数据移动。工作原理包括通过专用存储总线实现低延迟访问、多核NPU的缓存一致性协议,以及在神经网络推理和训练期间对权重、激活和中间结果进行同时访问的存储分区。
工作原理
On-chip memory operates by storing data in SRAM cells within the NPU die, using flip-flop circuits that maintain data as long as power is supplied. It employs memory controllers and interconnect fabrics to manage data movement between processor cores and memory banks. The working principle involves low-latency access through dedicated memory buses, cache coherence protocols for multi-core NPUs, and memory partitioning for simultaneous access to weights, activations, and intermediate results during neural network inference and training.
材料
采用CMOS技术的硅衬底、铜互连、高k金属栅晶体管、二氧化硅或先进低k介电绝缘层。使用半导体工艺(例如7nm、5nm FinFET节点)制造具有多层金属层用于布线。
Latency
1-10 ns
Voltage
0.7-1.0V
Capacity
1-128 MB
Bandwidth
100-1000 GB/s
Technology Node
7nm-5nm
Operating Temperature
-40°C to 125°C
标准
ISO 26262JEDEC JESD209

行业分类与别名

片上存储器 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Electromigration in interconnects->Increased resistance leading to timing violations->Use redundant vias and thicker metal layers
Alpha particle strikes->Bit flips in SRAM cells (soft errors)->Implement error-correcting codes (ECC) and parity checking
Power supply noise->Memory access failures during high-frequency operation->Design robust power delivery networks with decoupling capacitors

工业生态与工程逻辑

0
Thermal-induced data corruption
1
Process variation affecting yield
2
Soft errors from radiation
3
Voltage droop causing access failures

合规与检测

tolerance
±5% for timing parameters, ±10% for voltage levels
test method
Automated test equipment (ATE) with memory BIST (Built-In Self-Test), shmoo plots for parametric testing, and functional verification with AI workloads

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

What is the difference between on-chip memory and off-chip memory in NPUs?

On-chip memory is integrated directly on the NPU die, offering nanosecond latency and terabyte-per-second bandwidth, while off-chip memory (like DDR or HBM) is external, with higher latency but larger capacity.

Why is on-chip memory critical for neural processing units?

It reduces data movement bottlenecks, enabling faster access to weights and activations, which improves energy efficiency and throughput in AI computations.

Can on-chip memory be upgraded or expanded?

No, on-chip memory capacity is fixed during manufacturing as part of the NPU's semiconductor design and cannot be modified after production.

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

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初步技术归类
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URN:CNFX:ME:UNIT:ON_CHIP_MEMORY