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光电探测器(用于光耦合器)

繁體:光電探測器(用於光耦合器)

光电探测器是光耦合器中的半导体元件,通常为光电二极管或光电晶体管,用于检测LED发射器发出的光并将其转换为相应的电流。

技术定义与适配语境
典型 光电探测器(用于光耦合器) 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

在光耦合器应用中,光电探测器是一种基于半导体的元件,通常是光电二极管或光电晶体管,用于检测来自LED发射器的入射光,并将其转换为成比例的电信号。它作为光耦合器隔离电路中的接收元件,实现信号传输,同时保持输入和输出电路之间的电气隔离。 其工作原理基于光电效应,即来自光耦合器LED发射器的入射光子在半导材料中产生电子-空穴对。这会产生与光强度成比例的光电流,然后经过放大和处理,在隔离的输出侧重现输入信号。

组件规格

定义
在光耦合器应用中,光电探测器是一种基于半导体的元件,通常是光电二极管或光电晶体管,用于检测来自LED发射器的入射光,并将其转换为成比例的电信号。它作为光耦合器隔离电路中的接收元件,实现信号传输,同时保持输入和输出电路之间的电气隔离。

其工作原理基于光电效应,即来自光耦合器LED发射器的入射光子在半导材料中产生电子-空穴对。这会产生与光强度成比例的光电流,然后经过放大和处理,在隔离的输出侧重现输入信号。
工作原理
Operates on the photoelectric effect where incident photons from the optocoupler's LED emitter generate electron-hole pairs in the semiconductor material. This creates a photocurrent proportional to light intensity, which is then amplified and processed to reproduce the input signal on the isolated output side.
材料
硅(Si)或砷化镓(GaAs)半导体材料通常为PIN光电二极管或NPN光电晶体管带有抗反射涂层采用带有光学窗口的密封陶瓷或塑料封装。
Dark Current
<10 nA
Responsivity
0.5-0.8 A/W
Rise/Fall Time
2-10 μs
Isolation Voltage
2500-5000 Vrms
Spectral Response
800-950 nm (infrared)
Operating Temperature
-40°C to +100°C
Current Transfer Ratio
20-600%
标准
ISO 9001IEC 60747-5-5JEDEC JESD22

行业分类与别名

光电探测器(用于光耦合器) 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

LED output degradation over time->Decreased Current Transfer Ratio (CTR)->Implement burn-in testing, use conservative CTR derating (50% of initial value), and monitor with periodic functional testing.
Moisture ingress in non-hermetic packages->Increased dark current and potential short circuits->Use conformal coating, hermetic packaging for harsh environments, and proper storage with desiccants.

工业生态与工程逻辑

0
Degradation of CTR over time
1
Thermal runaway in high-current applications
2
Optical window contamination reducing sensitivity
3
ESD damage during handling

合规与检测

tolerance
CTR variation ±20% typical, isolation voltage tested at 125% of rated value for 1 minute
test method
IEC 60747-5-5 for optoelectronic isolation, UL 1577 for voltage withstand, and AEC-Q101 for automotive qualification

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

What is the difference between photodiode and phototransistor detectors in optocouplers?

Photodiodes offer faster response times but require external amplification, while phototransistors provide higher sensitivity and built-in gain but slower switching speeds. Selection depends on application speed and sensitivity requirements.

How does temperature affect photodetector performance in optocouplers?

Temperature variations affect dark current (doubles every 10°C rise), responsivity (decreases with temperature), and CTR (typically decreases 0.5-1.0%/°C). Proper thermal design and derating are essential for reliable operation.

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CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

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初步技术归类
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URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTODETECTOR_FOR_OPTOCOUPLER_