行业组件数据 · 2026

光电二极管(接收器)

光电二极管是一种专用半导体元件,通过光电效应检测并将入射光光子转换为成比例的光电流。

技术定义与适配语境
典型 光电二极管(接收器) 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

光电二极管是一种专用半导体元件,设计用于通过光电效应检测入射光光子并将其转换为成比例的光电流。在收发模块中,它作为光接收器,捕获来自光纤的调制光信号,并将其转换为电信号,供通信系统进一步处理。这些器件在反向偏置模式下工作,以实现快速响应时间和在特定波长范围内的高灵敏度。 基于光电效应工作,当入射光光子具有足够能量时,在半导体耗尽区产生电子-空穴对。在反向偏置电压下,这些载流子被扫过结,产生与光强度成比例的光电流。PIN(p-i-n)结构常用于通信应用中以获得最佳性能。

组件规格

定义
光电二极管是一种专用半导体元件,设计用于通过光电效应检测入射光光子并将其转换为成比例的光电流。在收发模块中,它作为光接收器,捕获来自光纤的调制光信号,并将其转换为电信号,供通信系统进一步处理。这些器件在反向偏置模式下工作,以实现快速响应时间和在特定波长范围内的高灵敏度。

基于光电效应工作,当入射光光子具有足够能量时,在半导体耗尽区产生电子-空穴对。在反向偏置电压下,这些载流子被扫过结,产生与光强度成比例的光电流。PIN(p-i-n)结构常用于通信应用中以获得最佳性能。
工作原理
基于光电效应工作,入射光光子具有足够能量时,在半导体耗尽区产生电子-空穴对。在反向偏压作用下,这些载流子被扫过结区,产生与光强成正比的光电流。PIN(p-i-n)结构常用于通信应用以获得最佳性能。
材料
半导体材料:硅(Si)用于400-1100 nm波长锗(Ge)用于800-1700 nm铟镓砷(InGaAs)用于900-1700 nm。封装材料:陶瓷或金属外壳带玻璃或环氧树脂窗口。
带宽
1-10GHz
上升时间
0.1-1.0ns
暗电流
1-10nA
封装类型
TO-can, Butterfly, Surface Mount
响应度
0.8-1.0A/W
波长范围
850-1650nm
工作电压
3-5V
标准
ISO 11801IEC 60793-2Telcordia GR-468-CORE

行业分类与别名

光电二极管(接收器) 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

过大的光输入功率->半导体结饱和或永久损坏->实施光功率监测和自动增益控制电路
处理过程中静电放电->性能退化或完全失效->使用防静电工作站和正确接地程序
温度循环应力->封装密封失效导致湿气侵入->使用具有可靠密封的陶瓷封装,并进行加速寿命测试

工业生态与工程逻辑

适配说明
该光电二极管适用于SFP、QSFP、XFP等光收发模块,以及光网络单元。订购前请确认波长范围、带宽、封装类型和响应度等参数与您的应用匹配。
工程风险
  • 过大光功率导致热损伤
  • 静电放电敏感性
  • 波长不匹配导致效率降低
  • 封装密封失效导致湿气侵入

合规与检测

公差
工作温度范围内响应度变化±0.1 dB
检测方法
光学特性按IEC 60793-2,可靠性测试按Telcordia GR-468-CORE

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

PIN和APD光电二极管有什么区别?

PIN光电二极管具有简单的本征区结构,响应线性;而APD(雪崩光电二极管)通过雪崩倍增提供内部增益,灵敏度更高,但需要精确的电压控制。

波长如何影响光电二极管的选择?

材料选择取决于目标波长:硅用于可见光/短红外(400-1100 nm),锗用于近红外(800-1700 nm),InGaAs用于电信波段(1310/1550 nm)。

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 计算机、电子和光学产品制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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