行业组件数据 · 2026

光电二极管(接收器)

光电二极管是一种专用半导体元件,通过光电效应检测并将入射光光子转换为成比例的光电流。

技术定义与适配语境
典型 光电二极管(接收器) 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

光电二极管是一种专用半导体元件,设计用于通过光电效应检测入射光光子并将其转换为成比例的光电流。在收发模块中,它作为光接收器,捕获来自光纤的调制光信号,并将其转换为电信号,供通信系统进一步处理。这些器件在反向偏置模式下工作,以实现快速响应时间和在特定波长范围内的高灵敏度。 基于光电效应工作,当入射光光子具有足够能量时,在半导体耗尽区产生电子-空穴对。在反向偏置电压下,这些载流子被扫过结,产生与光强度成比例的光电流。PIN(p-i-n)结构常用于通信应用中以获得最佳性能。

组件规格

定义
光电二极管是一种专用半导体元件,设计用于通过光电效应检测入射光光子并将其转换为成比例的光电流。在收发模块中,它作为光接收器,捕获来自光纤的调制光信号,并将其转换为电信号,供通信系统进一步处理。这些器件在反向偏置模式下工作,以实现快速响应时间和在特定波长范围内的高灵敏度。

基于光电效应工作,当入射光光子具有足够能量时,在半导体耗尽区产生电子-空穴对。在反向偏置电压下,这些载流子被扫过结,产生与光强度成比例的光电流。PIN(p-i-n)结构常用于通信应用中以获得最佳性能。
工作原理
Operates on the photoelectric effect where incident light photons with sufficient energy create electron-hole pairs in the semiconductor's depletion region. Under reverse bias voltage, these charge carriers are swept across the junction, generating a photocurrent proportional to the light intensity. The PIN (p-i-n) structure is commonly used for optimal performance in communication applications.
材料
半导体材料:硅(Si)用于400-1100 nm波长锗(Ge)用于800-1700 nm铟镓砷(InGaAs)用于900-1700 nm。封装材料:陶瓷或金属外壳带玻璃或环氧树脂窗口。
Bandwidth
1-10 GHz
Rise Time
0.1-1.0 ns
Dark Current
1-10 nA
Package Type
TO-can, Butterfly, Surface Mount
Responsivity
0.8-1.0 A/W
Wavelength Range
850-1650 nm
Operating Voltage
3-5 V
标准
ISO 11801IEC 60793-2Telcordia GR-468-CORE

行业分类与别名

光电二极管(接收器) 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Excessive optical input power->Saturation or permanent damage to semiconductor junction->Implement optical power monitoring and automatic gain control circuits
Electrostatic discharge during handling->Degraded performance or complete device failure->Use ESD-protected workstations and proper grounding procedures
Temperature cycling stress->Package seal failure leading to moisture ingress->Use ceramic packages with proven hermetic seals and conduct accelerated life testing

工业生态与工程逻辑

0
Thermal damage from excessive optical power
1
Electrostatic discharge sensitivity
2
Wavelength mismatch causing reduced efficiency
3
Package hermeticity failure leading to moisture ingress

合规与检测

tolerance
±0.1 dB responsivity variation across operating temperature range
test method
IEC 60793-2 for optical characteristics, Telcordia GR-468-CORE for reliability testing

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

What is the difference between PIN and APD photodiodes?

PIN photodiodes have a simple intrinsic region structure with linear response, while APD (Avalanche Photodiode) photodiodes use internal gain through avalanche multiplication for higher sensitivity but require precise voltage control.

How does wavelength affect photodiode selection?

Material selection depends on target wavelength: Silicon for visible/short infrared (400-1100 nm), Germanium for near-infrared (800-1700 nm), and InGaAs for telecommunications bands (1310/1550 nm).

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

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初步技术归类
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