繁體：上拉電晶體（PMOS）
一种P沟道金属氧化物半导体（PMOS）晶体管，专门配置为推挽放大器输出级中的上拉元件。
一种P沟道金属氧化物半导体（PMOS）晶体管，专门配置为推挽放大器输出级中的上拉元件。该器件作为高端开关，在激活时向负载提供电流，与下拉NMOS晶体管互补工作，提供高效的双向电流驱动，并最小化交叉失真。 通过施加负的栅源电压（Vgs < 0）在源极和漏极之间形成导电沟道。当栅极电压相对于源极足够负时，晶体管导通，将正电源电压连接到输出。在推挽配置中，它在输入信号的正半周导通，而互补的NMOS晶体管处理负半周，从而实现高效的B类或AB类放大，并降低功耗。
上拉晶体管（PMOS） 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
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PMOS上拉晶体管在正输出周期向负载提供电流，与NMOS下拉晶体管配合，提供高效的双向电流驱动，并最小化交越失真和功耗。
PMOS晶体管在栅极电压相对于源极为负（Vgs < 0）时导通，处理正输出周期；而NMOS晶体管在Vgs为正时导通，处理负周期。它们互补工作以提高效率。
音频功率放大器、电机驱动器、开关稳压器、D类放大器、运算放大器的输出级，以及任何需要高效双向电流源的应用。
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