行业组件数据 · 2026

瞬态电压抑制(TVS)二极管

繁體:瞬態電壓抑制(TVS)二極體

瞬态电压抑制(TVS)二极管是一种半导体器件,用于保护敏感电子元件免受电压瞬变、静电放电(ESD)和电过应力(EOS)的影响。

技术定义与适配语境
典型 瞬态电压抑制(TVS)二极管 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

瞬态电压抑制(TVS)二极管是一种半导体器件,设计用于保护敏感电子元件免受电压瞬变、静电放电(ESD)和电过应力(EOS)的影响。其工作原理是:当电压超过其击穿阈值时,迅速导通电流,从而将有害能量从受保护电路中转移,并将电压维持在安全的工作范围内。 TVS二极管基于雪崩击穿或齐纳击穿原理工作。在正常工作条件下,它呈现高阻抗和极小的漏电流。当瞬态电压尖峰超过二极管的钳位电压时,它会在皮秒内进入低阻抗状态,将多余电流分流至地,并将受保护元件两端的电压限制在安全的钳位电平。

组件规格

定义
瞬态电压抑制(TVS)二极管是一种半导体器件,设计用于保护敏感电子元件免受电压瞬变、静电放电(ESD)和电过应力(EOS)的影响。其工作原理是:当电压超过其击穿阈值时,迅速导通电流,从而将有害能量从受保护电路中转移,并将电压维持在安全的工作范围内。

TVS二极管基于雪崩击穿或齐纳击穿原理工作。在正常工作条件下,它呈现高阻抗和极小的漏电流。当瞬态电压尖峰超过二极管的钳位电压时,它会在皮秒内进入低阻抗状态,将多余电流分流至地,并将受保护元件两端的电压限制在安全的钳位电平。
工作原理
The TVS diode functions based on avalanche breakdown or Zener breakdown principles. Under normal operating conditions, it presents high impedance and minimal leakage current. When a transient voltage spike exceeds the diode's clamping voltage, it enters a low-impedance state within picoseconds, shunting excess current to ground and limiting the voltage across protected components to a safe clamping level.
材料
采用硅半导体材料具有P-N结结构通常采用表面贴装(SMD)或通孔封装使用环氧树脂封装和引线框架连接。
Response Time
<1 picosecond
Leakage Current
<1μA at working voltage
Clamping Voltage
6.5V to 710V
Peak Pulse Power
200W to 30kW
Breakdown Voltage
5V to 440V
Operating Temperature
-55°C to +150°C
标准
ISO 7637-2IEC 61000-4-2IEC 61000-4-5MIL-PRF-19500

行业分类与别名

瞬态电压抑制(TVS)二极管 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Exceeding maximum repetitive peak reverse voltage->Permanent short circuit or open circuit->Proper voltage derating and selection of TVS with adequate voltage margin
Thermal overload from sustained overvoltage->Thermal runaway and catastrophic failure->Implement current limiting and thermal protection in circuit design
ESD events exceeding diode rating->Degraded protection performance->Use multi-stage protection with primary and secondary TVS devices

工业生态与工程逻辑

0
Incorrect voltage rating selection
1
Insufficient power handling capacity
2
Thermal runaway under continuous overvoltage
3
Degradation from repeated transients

合规与检测

tolerance
±5% to ±10% on breakdown voltage
test method
Transient pulse testing per IEC 61000-4-5, ESD testing per IEC 61000-4-2, surge testing per ISO 7637-2

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

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常见问题

What is the difference between TVS diodes and regular Zener diodes?

TVS diodes are specifically designed for transient suppression with much higher power handling capabilities and faster response times compared to regular Zener diodes which are primarily for voltage regulation.

How do I select the right TVS diode for my application?

Consider the maximum operating voltage, expected transient energy, required clamping voltage, response time, and package size. Always ensure the breakdown voltage exceeds the normal operating voltage by 10-20%.

Can TVS diodes protect against both positive and negative transients?

Yes, bidirectional TVS diodes protect against both polarities, while unidirectional types protect against one polarity and forward conduct in the other direction.

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
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URN:CNFX:ME:UNIT:TRANSIENT_VOLTAGE_SUPPRESSION_TVS_DIODE