行业组件数据 · 2026

瞬态电压抑制(TVS)二极管

繁體:瞬態電壓抑制(TVS)二極體

瞬态电压抑制(TVS)二极管是一种半导体器件,用于保护敏感电子元件免受电压瞬变、静电放电(ESD)和电过应力(EOS)的影响。

技术定义与适配语境
典型 瞬态电压抑制(TVS)二极管 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

瞬态电压抑制(TVS)二极管是一种半导体器件,设计用于保护敏感电子元件免受电压瞬变、静电放电(ESD)和电过应力(EOS)的影响。其工作原理是:当电压超过其击穿阈值时,迅速导通电流,从而将有害能量从受保护电路中转移,并将电压维持在安全的工作范围内。 TVS二极管基于雪崩击穿或齐纳击穿原理工作。在正常工作条件下,它呈现高阻抗和极小的漏电流。当瞬态电压尖峰超过二极管的钳位电压时,它会在皮秒内进入低阻抗状态,将多余电流分流至地,并将受保护元件两端的电压限制在安全的钳位电平。

组件规格

定义
瞬态电压抑制(TVS)二极管是一种半导体器件,设计用于保护敏感电子元件免受电压瞬变、静电放电(ESD)和电过应力(EOS)的影响。其工作原理是:当电压超过其击穿阈值时,迅速导通电流,从而将有害能量从受保护电路中转移,并将电压维持在安全的工作范围内。

TVS二极管基于雪崩击穿或齐纳击穿原理工作。在正常工作条件下,它呈现高阻抗和极小的漏电流。当瞬态电压尖峰超过二极管的钳位电压时,它会在皮秒内进入低阻抗状态,将多余电流分流至地,并将受保护元件两端的电压限制在安全的钳位电平。
工作原理
TVS二极管基于雪崩击穿或齐纳击穿原理工作。在正常工作条件下,它呈现高阻抗和极小的漏电流。当瞬态电压尖峰超过二极管的钳位电压时,它在皮秒内进入低阻抗状态,将多余电流分流到地,并将受保护元件两端的电压限制在安全的钳位电平。
材料
采用硅半导体材料具有P-N结结构通常采用表面贴装(SMD)或通孔封装使用环氧树脂封装和引线框架连接。
响应时间
<1ps
漏电流
<1μA
钳位电压
6.5-710V
峰值脉冲功率
200-30000W
击穿电压
5-440V
工作温度
-55 至 +150°C
标准
ISO 7637-2IEC 61000-4-2IEC 61000-4-5MIL-PRF-19500

行业分类与别名

瞬态电压抑制(TVS)二极管 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

超过最大重复峰值反向电压->永久短路或开路->正确降额并选择具有足够电压裕量的TVS
持续过电压导致热过载->热失控和灾难性故障->在电路设计中实施限流和热保护
ESD事件超过二极管额定值->保护性能退化->使用初级和次级TVS器件的多级保护

工业生态与工程逻辑

适配说明
该TVS二极管适用于电源、通信接口、传感器输入、微控制器I/O端口和工业控制系统。订购前请确认击穿电压、钳位电压和峰值脉冲功率等参数符合您的应用需求。
工程风险
  • 电压额定值选择错误
  • 功率处理能力不足
  • 持续过电压下的热失控
  • 重复瞬态导致的性能退化

合规与检测

公差
击穿电压±5%至±10%
检测方法
瞬态脉冲测试符合IEC 61000-4-5,ESD测试符合IEC 61000-4-2,浪涌测试符合ISO 7637-2

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

TVS二极管与普通齐纳二极管有什么区别?

TVS二极管专门设计用于瞬态抑制,具有更高的功率处理能力和更快的响应时间,而普通齐纳二极管主要用于电压调节。

如何为我的应用选择合适的TVS二极管?

考虑最大工作电压、预期瞬态能量、所需钳位电压、响应时间和封装尺寸。始终确保击穿电压超过正常工作电压的10-20%。

TVS二极管能否同时保护正负瞬态?

可以,双向TVS二极管可保护两种极性,而单向类型仅保护一种极性,并在另一方向正向导通。

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
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URN:CNFX:ME:UNIT:TRANSIENT_VOLTAGE_SUPPRESSION_TVS_DIODE
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