发射器通过半导体材料（如LED或激光二极管）中的电致发光产生红外辐射。当电流通过器件时，激发电子以红外光谱中的光子形式释放能量。这种受控发射提供了穿过或反射样品材料的光源。发射光的波长由半导体材料的带隙决定，输出功率由驱动电流控制。发射的光与被测物质相互作用，检测到的吸收或散射用于确定浓度水平。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 波长 | 850–1550 nm | Peak emission wavelength; typical for IR sensing |
| 辐射功率 | 10–50 mW | Total optical output power |
| 正向电压 | 1.2–2.0 V | At rated forward current |
| 正向电流 | 20–100 mA | Continuous operating current |
| 上升时间 | 10–50 ns | For pulsed operation |
| 工作温度 | -40–85 °C | Junction temperature range |
| 存储温度 | -40–100 °C | Non-operating storage |
| 功耗 | 50–200 mW | Maximum allowable |
| 光束角 | 15–60 ° | Full angle at half power |
| 封装类型 | TO-46 | Hermetic metal can |
| 透镜材料 | Glass | For high temperature resistance |
| 静电放电等级 | 2 kV | Human body modelIEC 61340-3-1 |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 0 至 1 bar (非加压应用) |
| flow rate: | 不适用 |
| other spec: | 波长: 850-950 nm, 功率输出: 1-10 mW, 浆料浓度: ≤20% 固体重量比 |
| temperature: | -40°C 至 +85°C |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
目录中列出的典型峰值发射波长范围为850至1550纳米。然而，具体波长取决于具体型号和所用半导体材料。请务必与制造商核实实际波长以满足您的应用需求。
关键电气参数包括正向电压（1.2–2.0 V）、正向电流（20–100 mA）和功耗（50–200 mW）。这些是参考范围；具体型号的实际值必须与制造商确认，以确保驱动电路设计正确。
工作温度范围为-40至85°C，存储温度范围为-40至100°C。这些是典型限值；对于极端环境，请咨询制造商以获取降额或替代选项。
ESD额定值列为2 kV，依据IEC 61340-3-1（人体模型）。这是一个参考值；您应确认具体部件的额定值，并遵循适当的ESD处理程序以避免损坏。
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