行业组件数据 · 2026

有源元件

红外探测器中的核心传感元件,直接与红外辐射相互作用。

技术定义与适配语境
典型 有源元件 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

有源元件是红外探测器中直接与红外辐射相互作用的核心传感元件。它通过吸收红外光子,利用光电导、光伏或热电机制产生可测量的电信号。该元件决定了探测器的关键参数,包括光谱响应、灵敏度、响应时间和噪声特性。 基于量子或热探测原理工作。在量子探测器(光电二极管、光电导体)中,红外光子在半导体材料中激发载流子,改变电导率或产生电压。在热探测器(微测辐射热计、热电堆)中,吸收的辐射加热元件,改变其电阻(测辐射热计)或产生热电压(热电堆)。

组件规格

定义
有源元件是红外探测器中直接与红外辐射相互作用的核心传感元件。它通过吸收红外光子,利用光电导、光伏或热电机制产生可测量的电信号。该元件决定了探测器的关键参数,包括光谱响应、灵敏度、响应时间和噪声特性。

基于量子或热探测原理工作。在量子探测器(光电二极管、光电导体)中,红外光子在半导体材料中激发载流子,改变电导率或产生电压。在热探测器(微测辐射热计、热电堆)中,吸收的辐射加热元件,改变其电阻(测辐射热计)或产生热电压(热电堆)。
工作原理
Operates based on quantum or thermal detection principles. In quantum detectors (photodiodes, photoconductors), infrared photons excite charge carriers in semiconductor materials, changing electrical conductivity or generating voltage. In thermal detectors (microbolometers, thermopiles), absorbed radiation heats the element, altering its electrical resistance (bolometer) or generating thermoelectric voltage (thermopile).
材料
半导体材料:碲镉汞(MCT)、锑化铟(InSb)、硒化铅(PbSe)、硅、锗。热敏材料:氧化钒(VOx)、非晶硅(a-Si)、碲化铋(Bi2Te3)。衬底:硅、锗、硒化锌。
Active Area
0.01-100 mm²
Responsivity
1-10 A/W
Response Time
1 ns-10 ms
Spectral Range
1-14 μm
Detectivity (D*)
10^8-10^11 Jones
Operating Temperature
77-300 K (cooled), 200-350 K (uncooled)
Noise Equivalent Power
10^-10-10^-12 W/√Hz
标准
ISO 18526-1ISO 18434-1DIN 54190-1DIN 54190-2

行业分类与别名

有源元件 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Thermal stress during rapid temperature cycling->Cracking of semiconductor material or delamination of thin films->Implement controlled cooling/heating rates, use stress-relieved packaging designs, apply protective coatings
Electrostatic discharge during handling or operation->Permanent damage to sensitive semiconductor junctions->Implement ESD protection circuits, use proper grounding procedures, apply conductive coatings
Contamination from outgassing or environmental particles->Increased dark current and reduced signal-to-noise ratio->Hermetic sealing, getter materials, cleanroom assembly, regular maintenance cleaning

工业生态与工程逻辑

0
Thermal shock during cooling cycles
1
Electrostatic discharge damage
2
Optical contamination reducing sensitivity
3
Material degradation at high temperatures
4
Delamination of thin-film structures

合规与检测

tolerance
±5% responsivity variation, ±2% spectral response shift, <10% non-uniformity across array
test method
Blackbody calibration, spectral response measurement, noise equivalent temperature difference (NETD) testing, modulation transfer function (MTF) analysis

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

What is the difference between cooled and uncooled active elements?

Cooled elements (MCT, InSb) operate at cryogenic temperatures (77-200K) for higher sensitivity in mid-wave and long-wave IR. Uncooled elements (VOx microbolometers) operate at room temperature with lower sensitivity but simpler cooling requirements.

How does active element material affect infrared detector performance?

Material determines spectral response range, quantum efficiency, response time, and operating temperature. MCT offers tunable spectral response, InSb provides high sensitivity in MWIR, while VOx microbolometers enable room-temperature LWIR imaging.

What are common failure modes of infrared detector active elements?

Degradation from thermal cycling, delamination of thin films, contamination-induced dark current increase, electrostatic discharge damage, and material degradation at high operating temperatures.

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

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初步技术归类
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URN:CNFX:ME:UNIT:ACTIVE_ELEMENT