探测器吸收入射红外辐射，导致其电学特性发生变化，这基于光电效应或热效应。在半导体探测器中，具有足够能量的光子产生电子-空穴对，改变电导率。在热释电探测器中，温度变化改变晶体的极化，产生电压。这种变化与辐射强度成比例，并转换为电信号以供进一步处理。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 探测器类型 | 1–3 μm | Spectral range for MCT or InSb |
| 光谱范围 | 1–14 μm | Select based on application |
| 探测率 | 1e8–1e10 cm·Hz^0.5/W | Higher is better |
| 响应时间 | 1–100 ns | 高速场合需更快响应 |
| 工作温度 | -40–85 °C | Extended range for industrial |
| 存储温度 | -55–125 °C | 非工作状态 |
| 供电电压 | 3.3–5 V DC | Typical logic levels |
| 功耗 | 10–500 mW | Depends on cooling |
| 封装类型 | TO-5–TO-8 | Hermetic metal can |
| 有效面积 | 0.1–10 mm² | Larger area for higher signal |
| 视场角 | 60–120 ° | With lens |
| 湿度范围 | 5–95 % RH | 非冷凝IEC 60068-2-78 |
| 重量 | 1–50 g | Without lens |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 大气压至1.5巴绝对压力（典型值，取决于外壳） |
| flow rate: | 不适用 |
| temperature: | -40°C 至 +85°C（工作温度），-55°C 至 +100°C（存储温度） |
3 家企业把这个产品列在自己的产品线里。卡片上的公司数据摘自各家官网，每张卡都注明这条关系的依据来自哪里。
制造商列表用于前期研究和供应商能力理解，不代表认证、排名或交易担保。
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
光谱范围通常为1–14 μm，具体取决于探测器类型和应用。例如，MCT或InSb探测器可能覆盖1–3 μm，而其他类型可延伸至14 μm。请务必与制造商确认您具体型号的准确范围。
响应时间（通常为1–100 ns）决定了探测器对红外辐射变化的反应速度。更快的响应时间对于高速应用（如监测快速温度变化）至关重要。较慢的探测器可能足以满足稳态测量。
探测率（D*）表示探测器对红外辐射的灵敏度，数值越高性能越好。典型范围为1e8–1e10 cm·Hz^0.5/W。更高的探测率允许检测更弱的信号，这对于低温或远距离测量很重要。
工作温度范围通常为-40至85 °C，而存储温度可为-55至125 °C。确保探测器在这些限制内使用，以避免性能下降或损坏。对于极端环境，请咨询制造商以获取合适的选项。
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