繁體：差分電晶體對
由两个匹配的双极型晶体管（BJT）或场效应晶体管（FET）对称配置，发射极或源极连接至公共电流源，构成差分输入级核心。
差分晶体管对由两个匹配的双极型晶体管（BJT）或场效应晶体管（FET）组成，它们对称配置，发射极或源极连接至公共电流源。该配置构成运算放大器、比较器及其他模拟电路中差分输入级的核心，提供高共模抑制比（CMRR）、低失调电压，并通过固有的热耦合实现温度稳定性。 差分对通过将差分输入电压（两个信号之差）转换为差分输出电流来工作。当相同的晶体管共享恒定的尾电流时，一个晶体管基极-发射极电压的增加会降低另一个晶体管的电压，从而在小信号下产生线性放大区域。共模信号（两个输入相同）由于共享电流源而产生极小的输出变化，有效抑制噪声和干扰。
差分晶体管对 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
主要优势是高共模抑制比（CMRR），允许放大小的差分信号，同时抑制两个输入共有的噪声和干扰。
可以，MOSFET差分对在CMOS集成电路中很常见，提供非常高的输入阻抗和更低的功耗，但通常跨导略低于BJT对。
紧密放置的匹配晶体管表现出优异的热跟踪，最小化失调电压和偏置电流随温度变化的漂移。
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