行业组件数据 · 2026

激光二极管芯片

繁體:雷射二極體晶片

激光二极管芯片是一种半导体器件,通过电泵浦受激发射产生相干、单色光。

技术定义与适配语境
典型 激光二极管芯片 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

激光二极管芯片是一种半导体器件,通过电泵浦受激发射产生相干、单色光。它由直接带隙半导体材料(通常基于砷化镓或磷化铟)中形成的p-n结组成,具有解理或蚀刻的端面形成光学谐振腔。芯片通过有源区中的粒子数反转产生激光发射,波长范围从紫外到红外,取决于材料组成和量子阱结构。 电流注入在有源区产生电子-空穴对,实现粒子数反转。自发发射产生的光子在由反射端面形成的谐振腔中激发进一步发射,通过正反馈产生相干光放大。输出波长由半导体材料的带隙能量和量子限制效应决定。

组件规格

定义
激光二极管芯片是一种半导体器件,通过电泵浦受激发射产生相干、单色光。它由直接带隙半导体材料(通常基于砷化镓或磷化铟)中形成的p-n结组成,具有解理或蚀刻的端面形成光学谐振腔。芯片通过有源区中的粒子数反转产生激光发射,波长范围从紫外到红外,取决于材料组成和量子阱结构。

电流注入在有源区产生电子-空穴对,实现粒子数反转。自发发射产生的光子在由反射端面形成的谐振腔中激发进一步发射,通过正反馈产生相干光放大。输出波长由半导体材料的带隙能量和量子限制效应决定。
工作原理
电流注入在有源区产生电子-空穴对,实现粒子数反转。自发辐射产生的光子在由反射端面构成的谐振腔中受激辐射,通过正反馈实现相干光放大。输出波长由半导体材料的带隙能量和量子限制效应决定。
材料
砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)衬底以及铝镓砷(AlGaAs)、铟镓砷磷(InGaAsP)或铟镓氮(InGaN)外延层。金或铝金属化用于电接触。
波长
405-1650nm
输出功率
1 mW - 10 W
封装类型
TO-can, butterfly, coaxial
光谱宽度
0.1-5nm
光束发散角
10-40度
工作电压
1.5-3.0V
阈值电流
10-100mA
工作温度
-40°C 至 +85°C
标准
ISO 11145ISO 11554IEC 60825JIS C 6802

行业分类与别名

激光二极管芯片 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

驱动电流过大->端面灾变性光学损伤->实施限流电路和温度监测,并自动关机
操作过程中静电放电->立即或潜在的结损伤->使用防静电工作站、正确接地和防静电包装
热管理不良->热失控和加速退化->优化散热器设计,使用导热界面材料,并监测结温

工业生态与工程逻辑

适配说明
该激光二极管芯片适用于标准TO-can、蝶形和同轴封装,兼容主流组装和耦合设备。订购前请确认波长、功率和封装形式与您的系统匹配。
工程风险
  • 静电放电损伤
  • 热失控
  • 灾变性光学损伤
  • 波长随温度漂移
  • 输出功率随时间衰减

合规与检测

公差
波长公差 ±3 nm,输出功率公差 ±10%,光束发散角公差 ±2 度
检测方法
L-I-V特性(光-电流-电压)、光谱分析、远场图样测量、加速寿命测试(符合Telcordia GR-468)

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

GLSUN (Guilin GLSUN Science and Tech Group Co.,Ltd)
· Guangxi · CN

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

激光二极管芯片与LED芯片有何区别?

激光二极管芯片通过谐振腔中的受激辐射产生相干、定向的光,而LED芯片通过自发辐射产生非相干、全向的光,且无光学反馈。

激光二极管芯片的典型寿命是多久?

工作寿命根据工作条件不同为10,000至100,000小时,大多数应用中表现为输出功率逐渐衰减而非突然失效。

激光二极管芯片失效的原因是什么?

主要失效机制包括端面过热导致的灾变性光学损伤(COD)、静电放电(ESD)损伤、焊料疲劳以及有源区材料的逐渐退化。

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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对比具备该组件加工或装配能力的制造商资料。

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URN:CNFX:ME:UNIT:LASER_DIODE_CHIP
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