行业组件数据 · 2026

激光二极管芯片

繁體:雷射二極體晶片

激光二极管芯片是一种半导体器件,通过电泵浦受激发射产生相干、单色光。

技术定义与适配语境
典型 激光二极管芯片 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

激光二极管芯片是一种半导体器件,通过电泵浦受激发射产生相干、单色光。它由直接带隙半导体材料(通常基于砷化镓或磷化铟)中形成的p-n结组成,具有解理或蚀刻的端面形成光学谐振腔。芯片通过有源区中的粒子数反转产生激光发射,波长范围从紫外到红外,取决于材料组成和量子阱结构。 电流注入在有源区产生电子-空穴对,实现粒子数反转。自发发射产生的光子在由反射端面形成的谐振腔中激发进一步发射,通过正反馈产生相干光放大。输出波长由半导体材料的带隙能量和量子限制效应决定。

组件规格

定义
激光二极管芯片是一种半导体器件,通过电泵浦受激发射产生相干、单色光。它由直接带隙半导体材料(通常基于砷化镓或磷化铟)中形成的p-n结组成,具有解理或蚀刻的端面形成光学谐振腔。芯片通过有源区中的粒子数反转产生激光发射,波长范围从紫外到红外,取决于材料组成和量子阱结构。

电流注入在有源区产生电子-空穴对,实现粒子数反转。自发发射产生的光子在由反射端面形成的谐振腔中激发进一步发射,通过正反馈产生相干光放大。输出波长由半导体材料的带隙能量和量子限制效应决定。
工作原理
Electrical current injection creates electron-hole pairs in the active region, achieving population inversion. Photons generated through spontaneous emission stimulate further emission in the resonant cavity formed by reflective facets, producing coherent light amplification through positive feedback. The output wavelength is determined by the bandgap energy of the semiconductor materials and quantum confinement effects.
材料
砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)衬底以及铝镓砷(AlGaAs)、铟镓砷磷(InGaAsP)或铟镓氮(InGaN)外延层。金或铝金属化用于电接触。
Wavelength
405-1650 nm
Output Power
1 mW - 10 W
Package Type
TO-can, butterfly, coaxial
Spectral Width
0.1-5 nm
Beam Divergence
10-40 degrees
Operating Voltage
1.5-3.0 V
Threshold Current
10-100 mA
Operating Temperature
-40°C to +85°C
标准
ISO 11145ISO 11554IEC 60825JIS C 6802

行业分类与别名

激光二极管芯片 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Excessive drive current->Catastrophic optical damage at facet->Implement current limiting circuits and temperature monitoring with automatic shutdown
Electrostatic discharge during handling->Immediate or latent junction damage->ESD-protected workstations, proper grounding, and antistatic packaging
Poor thermal management->Thermal runaway and accelerated degradation->Optimize heat sink design, use thermal interface materials, and monitor junction temperature

工业生态与工程逻辑

0
Electrostatic discharge damage
1
Thermal runaway
2
Catastrophic optical damage
3
Wavelength drift with temperature
4
Output power degradation over time

合规与检测

tolerance
Wavelength tolerance ±3 nm, output power tolerance ±10%, beam divergence tolerance ±2 degrees
test method
L-I-V characterization (light-current-voltage), spectral analysis, far-field pattern measurement, accelerated life testing per Telcordia GR-468

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

What is the difference between a laser diode chip and an LED chip?

Laser diode chips produce coherent, directional light through stimulated emission in a resonant cavity, while LED chips produce incoherent, omnidirectional light through spontaneous emission without optical feedback.

How long do laser diode chips typically last?

Operating lifetimes range from 10,000 to 100,000 hours depending on operating conditions, with gradual output power degradation rather than sudden failure in most applications.

What causes laser diode chip failure?

Primary failure mechanisms include catastrophic optical damage (COD) from facet overheating, electrostatic discharge (ESD) damage, solder joint fatigue, and gradual degradation of the active region materials.

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 计算机、电子和光学产品制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

请求制造能力信息: 激光二极管芯片

说明目标数量、应用场景、交期和关键技术要求,用于准备 RFQ 或供应商评估。

谢谢,信息已发送。
谢谢,信息已收到。

需要制造 激光二极管芯片?

对比具备该组件加工或装配能力的制造商资料。

创建制造商档案 联系我们
上一个组件
激光二极管/晶体
下一个组件
激光二极管(发射器)
URN:CNFX:ME:UNIT:LASER_DIODE_CHIP