行业组件数据 · 2026

激光二极管(发射器)

激光二极管是一种半导体器件,通过电激励受激发射产生相干光。在收发模块中作为发射组件,将电信号转换为光信号用于光纤通信。

技术定义与适配语境
典型 激光二极管(发射器) 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

激光二极管是一种半导体器件,通过电激励受激发射产生相干光。在收发模块中作为发射组件,将电信号转换为光信号用于光纤通信。它工作在特定波长(通常为850nm、1310nm或1550nm),设计用于高速数据传输,具有低功耗和高可靠性。 基于半导体p-n结中的受激发射原理。当正向偏置时,电子和空穴在有源区复合,发射光子。来自二极管端面的光学反馈形成谐振腔,放大光以产生相干激光束。通过改变注入电流来调制输出,以编码数据。

组件规格

定义
激光二极管是一种半导体器件,通过电激励受激发射产生相干光。在收发模块中作为发射组件,将电信号转换为光信号用于光纤通信。它工作在特定波长(通常为850nm、1310nm或1550nm),设计用于高速数据传输,具有低功耗和高可靠性。

基于半导体p-n结中的受激发射原理。当正向偏置时,电子和空穴在有源区复合,发射光子。来自二极管端面的光学反馈形成谐振腔,放大光以产生相干激光束。通过改变注入电流来调制输出,以编码数据。
工作原理
基于半导体p-n结中的受激发射原理。正向偏置时,电子和空穴在有源区复合,发射光子。二极管端面的光学反馈形成谐振腔,放大光产生相干激光束。通过改变注入电流调制输出,以编码数据。
材料
850nm波长采用砷化镓(GaAs)1310nm/1550nm波长采用磷化铟(InP)包层采用铝镓砷(AlGaAs)或铟镓砷磷(InGaAsP)接触采用金或焊料封装采用陶瓷或金属外壳。
波长
850nm, 1310nm, 1550nm
输出功率
0.5mW to 10mW
封装类型
TO-can, Butterfly, DIL
光谱宽度
<1nm
阈值电流
10mA to 50mA
调制带宽
Up to 25GHz
工作温度
-40°C to 85°C
标准
ISO/IEC 11801DIN EN 50173ITU-T G.957

行业分类与别名

激光二极管(发射器) 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

过大的驱动电流或高环境温度->灾难性光学损伤(COD)或快速退化->实施自动功率控制(APC)电路,使用热电冷却器(TEC),并确保良好的散热。
处理或安装过程中的静电放电(ESD)->突然失效或输出功率降低->遵循ESD保护协议,使用防静电包装,并设计ESD保护二极管。

工业生态与工程逻辑

适配说明
该激光二极管适用于标准光收发器模块,如SFP、SFP+、QSFP和XFP。订购前请确认波长、封装和引脚兼容性。
工程风险
  • 过热导致的热失控
  • 光反馈损伤
  • 静电放电(ESD)敏感性
  • 随时间波长漂移

合规与检测

公差
波长公差±10nm,输出功率公差±20%
检测方法
L-I-V测试(光-电流-电压),光谱分析,符合IEEE 802.3标准的眼图测试

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

在收发器模块中,激光二极管的典型寿命是多少?

在正常工作条件下通常为100,000小时或更长,具体取决于温度和驱动电流。

波长如何影响激光二极管的性能?

波长决定传输距离和光纤类型兼容性:850nm用于多模短距离,1310nm/1550nm用于单模长距离。

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 计算机、电子和光学产品制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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URN:CNFX:ME:UNIT:LASER_DIODE_TRANSMITTER_
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