行业组件数据 · 2026

光电二极管

繁體:光電二極體

光电二极管是一种专用半导体元件,通过光电效应将入射光转换为电流。

技术定义与适配语境
典型 光电二极管 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

光电二极管是一种专用半导体元件,设计用于通过光电效应检测入射光并将其转换为电流。在工业应用中,它是图像传感器阵列中的基本感光元件,捕获光子并产生成比例的电信号以供处理。这些器件经过精心设计,具有精确的光谱响应、高灵敏度和快速响应时间,以确保在各种光照条件下准确捕获图像。 其工作原理基于光电效应:具有足够能量的入射光子撞击半导体材料(通常为硅、锗或InGaAs),产生电子-空穴对。当反向偏置时,这些载流子被扫过耗尽区,产生与光强度成比例的光电流。产生的电流随后被放大和处理,形成数字图像数据。

组件规格

定义
光电二极管是一种专用半导体元件,设计用于通过光电效应检测入射光并将其转换为电流。在工业应用中,它是图像传感器阵列中的基本感光元件,捕获光子并产生成比例的电信号以供处理。这些器件经过精心设计,具有精确的光谱响应、高灵敏度和快速响应时间,以确保在各种光照条件下准确捕获图像。

其工作原理基于光电效应:具有足够能量的入射光子撞击半导体材料(通常为硅、锗或InGaAs),产生电子-空穴对。当反向偏置时,这些载流子被扫过耗尽区,产生与光强度成比例的光电流。产生的电流随后被放大和处理,形成数字图像数据。
工作原理
Operates on the principle of the photoelectric effect where incident photons with sufficient energy strike the semiconductor material (typically silicon, germanium, or InGaAs), creating electron-hole pairs. When reverse-biased, these charge carriers are swept across the depletion region, generating a photocurrent proportional to the light intensity. The generated current is then amplified and processed to form digital image data.
材料
半导体材料:硅(Si)用于可见光至近红外范围(400-1100 nm)锗(Ge)用于红外(800-1700 nm)铟镓砷(InGaAs)用于扩展红外(900-2600 nm)。封装材料:陶瓷或金属外壳带玻璃或石英窗口以提供光学通路。
Active Area
0.1-100 mm²
Dark Current
1-100 nA
Responsivity
0.5-0.7 A/W
Response Time
1-100 ns
Spectral Range
400-1100 nm (Si)
Operating Voltage
5-100 V reverse bias
Temperature Range
-40°C to +85°C
标准
ISO 9022-11IEC 60747-5JEDEC JESD22

行业分类与别名

光电二极管 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Optical window contamination->Reduced light transmission and inaccurate readings->Regular cleaning schedule, protective coatings, sealed housing design
Electrostatic discharge during handling->Permanent semiconductor damage and complete failure->ESD-protected workstations, proper grounding procedures, built-in protection diodes
Thermal expansion mismatch->Mechanical stress leading to cracked die or bond wire failure->CTE-matched materials, stress-relief designs, temperature cycling testing

工业生态与工程逻辑

0
Optical surface contamination
1
Electrostatic discharge damage
2
Thermal drift affecting accuracy
3
Saturation from excessive light intensity
4
Spectral mismatch with application

合规与检测

tolerance
±5% responsivity variation across production batch, ±2nm spectral response shift
test method
IEC 60747-5-2 for optoelectronic devices, calibrated light source measurement, dark current testing at specified temperatures

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

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常见问题

What is the difference between a photodiode and a phototransistor?

Photodiodes generate current proportional to light intensity with faster response times but lower sensitivity, while phototransistors provide current amplification but slower response. Photodiodes are preferred for high-speed imaging applications.

How does temperature affect photodiode performance?

Temperature increases dark current (approximately doubling every 10°C rise) and can shift spectral response. Industrial photodiodes often include temperature compensation circuits or cooling for stable operation.

What maintenance do industrial photodiodes require?

Regular cleaning of optical surfaces, periodic calibration against known light sources, and monitoring of dark current drift. Most industrial photodiodes are sealed units requiring no internal maintenance.

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

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初步技术归类
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