行业组件数据 · 2026

光电二极管元件

繁體:光電二極體元件

光电二极管元件是基于半导体的光电子元件,通过光电效应在光照下产生电流。

技术定义与适配语境
典型 光电二极管元件 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

光电二极管元件是基于半导体的光电子元件,通过光电效应在光照下产生电流。这些元件作为光电探测器阵列中的单个传感单元,将入射光子转换为可测量的电信号,并具有特定的光谱响应特性、响应度和响应时间参数。 工作原理基于光电效应,当入射光子具有足够能量时,在半导体耗尽区产生电子-空穴对,产生与光强度成正比的光电流。反向偏压通过加宽耗尽区和降低结电容来提高灵敏度和响应速度。

组件规格

定义
光电二极管元件是基于半导体的光电子元件,通过光电效应在光照下产生电流。这些元件作为光电探测器阵列中的单个传感单元,将入射光子转换为可测量的电信号,并具有特定的光谱响应特性、响应度和响应时间参数。

工作原理基于光电效应,当入射光子具有足够能量时,在半导体耗尽区产生电子-空穴对,产生与光强度成正比的光电流。反向偏压通过加宽耗尽区和降低结电容来提高灵敏度和响应速度。
工作原理
基于光电效应工作,入射光子具有足够能量时在半导体耗尽区产生电子-空穴对,产生与光强成正比的光电流。反向偏压通过加宽耗尽区并降低结电容来提高灵敏度和响应速度。
材料
硅(Si)用于可见光至近红外范围(400-1100 nm)锗(Ge)用于红外(800-1800 nm)铟镓砷(InGaAs)用于扩展红外(900-2600 nm)碳化硅(SiC)用于紫外应用
有效面积
0.1-100mm²
电容
1-100pF
暗电流
0.1-100nA
响应度
0.3-1.2A/W
响应时间
1 ns - 100 μs
光谱范围
190-2600nm
击穿电压
20-200V
标准
ISO 10110-8IEC 60747-5DIN 58141-2

行业分类与别名

光电二极管元件 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

操作过程中的静电放电->半导体结永久损坏->ESD保护工作站、正确接地、防静电包装
过大的反向偏压->击穿和永久损坏->电压限制电路、正确的电源设计
有效表面污染->灵敏度降低和测量误差->洁净室组装、保护涂层、定期维护

工业生态与工程逻辑

适配说明
该光电二极管元件与多种光电探测系统兼容。订购前请确认有效面积、光谱范围和封装形式是否符合您的应用需求。
工程风险
  • 静电放电损伤
  • 光学过曝导致饱和或损坏
  • 高功率应用中的热失控
  • 湿气侵入影响性能

合规与检测

公差
响应度变化±5%,光谱响应偏移±2 nm
检测方法
电气特性按IEC 60747-5,光学参数按ISO 10110-8,暗电流在指定偏压下测量

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

PIN光电二极管和雪崩光电二极管有什么区别?

PIN光电二极管在p层和n层之间有一个本征区,以获得更好的量子效率;而雪崩光电二极管(APD)通过碰撞电离实现内部增益,灵敏度更高,但需要精确的电压控制。

温度如何影响光电二极管的性能?

温度升高会增加暗电流(大约每升高10°C翻倍),并可能使光谱响应发生偏移。对于精密应用,热管理至关重要。

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 计算机、电子和光学产品制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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