行业组件数据 · 2026

光电二极管芯片

繁體:光電二極體晶片

一种将光信号转换为电信号的半导体器件。

技术定义与适配语境
典型 光电二极管芯片 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

光电二极管芯片是一种专用半导体元件,设计用于通过光电效应检测光并将其转换为电信号。这些芯片通常由硅、锗或III-V族化合物半导体(如铟镓砷(InGaAs))制成,以适应特定的波长范围。它们采用PIN(p-i-n)或雪崩结构,以优化响应度、速度和噪声特性,用于工业传感器中的精确光测量。 基于光电效应工作:当具有足够能量的光子照射到耗尽区的半导体材料时,会产生电子-空穴对。施加的反向偏压将这些电荷载流子分离,产生与入射光强度成正比的光电流。该电流随后被放大和处理,以提供与光水平相对应的可测量电输出。

组件规格

定义
光电二极管芯片是一种专用半导体元件,设计用于通过光电效应检测光并将其转换为电信号。这些芯片通常由硅、锗或III-V族化合物半导体(如铟镓砷(InGaAs))制成,以适应特定的波长范围。它们采用PIN(p-i-n)或雪崩结构,以优化响应度、速度和噪声特性,用于工业传感器中的精确光测量。

基于光电效应工作:当具有足够能量的光子照射到耗尽区的半导体材料时,会产生电子-空穴对。施加的反向偏压将这些电荷载流子分离,产生与入射光强度成正比的光电流。该电流随后被放大和处理,以提供与光水平相对应的可测量电输出。
工作原理
Operates on the photoelectric effect: when photons with sufficient energy strike the semiconductor material in the depletion region, they generate electron-hole pairs. An applied reverse bias voltage separates these charge carriers, creating a photocurrent proportional to the incident light intensity. This current is then amplified and processed to provide measurable electrical output corresponding to light levels.
材料
主要材料:硅(Si)用于可见光至近红外(400-1100 nm)。替代材料:锗(Ge)用于红外至1800 nm铟镓砷(InGaAs)用于800-2600 nm。封装:陶瓷或金属外壳带玻璃/石英窗口。触点:金或铝丝键合。
Rise Time
1-100 ns
Active Area
0.1-100 mm²
Dark Current
1-100 nA at rated bias
Responsivity
0.4-0.6 A/W at peak wavelength
Wavelength Range
400-1100 nm (Si typical)
Operating Voltage
5-100 V reverse bias
Temperature Range
-40°C to +85°C
标准
ISO 10110-8IEC 60747-5JEDEC JESD22

行业分类与别名

光电二极管芯片 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Electrostatic discharge during installation->Permanent damage to semiconductor junction, causing high dark current or complete failure->Use ESD-safe handling procedures, grounded workstations, and proper packaging
Excessive reverse bias voltage->Breakdown of PN junction, leading to thermal runaway and catastrophic failure->Implement voltage clamping circuits and follow manufacturer's maximum ratings
Moisture ingress in packaging->Corrosion of contacts and degradation of optical properties over time->Use hermetic sealing and conformal coating for harsh environments

工业生态与工程逻辑

0
Electrostatic discharge damage during handling
1
Thermal degradation at high operating temperatures
2
Optical window contamination affecting sensitivity
3
Saturation from excessive light intensity

合规与检测

tolerance
±5% responsivity variation across production batches, ±2% spectral response consistency
test method
IEC 60747-5 for photoelectric characteristics, MIL-STD-883 for environmental testing, ISO 10110 for optical specifications

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

What is the difference between a photodiode chip and a phototransistor?

A photodiode chip generates current directly from light with faster response but lower gain, while a phototransistor provides internal amplification but slower speed and higher noise.

How do I select the right photodiode chip for my application?

Consider wavelength sensitivity, response speed, active area size, dark current, and packaging based on your light source, signal frequency, and environmental conditions.

Can photodiode chips detect ultraviolet or far-infrared light?

Standard silicon chips detect visible to near-infrared; specialized materials like silicon carbide (SiC) for UV or mercury cadmium telluride (MCT) for far-IR are required for those ranges.

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

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初步技术归类
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URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTODIODE_CHIP