行业组件数据 · 2026

光电二极管元件

繁體:光電二極體元件

光电二极管元件是一种p-n结或PIN结构半导体器件,用于在光照下产生光电流。

技术定义与适配语境
典型 光电二极管元件 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

光电二极管元件是一种p-n结或PIN结构半导体器件,设计用于在光照下产生光电流。它工作在光伏模式或光电导模式,将光子能量转换为电信号,具有高灵敏度和快速响应时间。在光电二极管阵列中,多个元件按线性或矩阵排列,以实现空间光分布分析、光谱测量和成像应用。 光电二极管元件基于光电效应工作。当具有足够能量的光子照射到半导体材料上时,在耗尽区产生电子-空穴对。在反向偏压(光电导模式)或零偏压(光伏模式)下,这些载流子被内建电场分离,产生与入射光强度成正比的光电流。元件的响应特性取决于材料特性、结设计和操作条件。

组件规格

定义
光电二极管元件是一种p-n结或PIN结构半导体器件,设计用于在光照下产生光电流。它工作在光伏模式或光电导模式,将光子能量转换为电信号,具有高灵敏度和快速响应时间。在光电二极管阵列中,多个元件按线性或矩阵排列,以实现空间光分布分析、光谱测量和成像应用。

光电二极管元件基于光电效应工作。当具有足够能量的光子照射到半导体材料上时,在耗尽区产生电子-空穴对。在反向偏压(光电导模式)或零偏压(光伏模式)下,这些载流子被内建电场分离,产生与入射光强度成正比的光电流。元件的响应特性取决于材料特性、结设计和操作条件。
工作原理
The photodiode element operates based on the photoelectric effect. When photons with sufficient energy strike the semiconductor material, they create electron-hole pairs in the depletion region. Under reverse bias (photoconductive mode) or zero bias (photovoltaic mode), these charge carriers are separated by the built-in electric field, generating a photocurrent proportional to the incident light intensity. The element's response characteristics depend on material properties, junction design, and operating conditions.
材料
硅(Si)用于可见光到近红外范围(400-1100 nm)锗(Ge)用于红外(800-1800 nm)铟镓砷(InGaAs)用于扩展红外(900-2600 nm)或碳化硅(SiC)用于紫外应用。封装材料包括陶瓷、金属或塑料外壳带有光学窗口(玻璃、石英或环氧树脂)。
Rise Time
1-100 ns
Active Area
0.1-100 mm²
Dark Current
1-100 nA
Responsivity
0.4-0.6 A/W
Spectral Range
400-1100 nm (Si)
Operating Voltage
5-100 V reverse bias
Temperature Range
-40°C to +85°C
标准
ISO 10110IEC 60747-5DIN 5031

行业分类与别名

光电二极管元件 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Excessive reverse bias voltage->Junction breakdown and permanent damage->Implement voltage clamping circuits and follow manufacturer's maximum ratings
Optical window contamination->Reduced sensitivity and inaccurate measurements->Use cleanroom handling procedures and periodic inspection/cleaning protocols

工业生态与工程逻辑

0
Thermal noise at high temperatures
1
Saturation from excessive light intensity
2
Damage from electrostatic discharge (ESD)
3
Performance degradation due to contamination on optical surface

合规与检测

tolerance
±5% responsivity variation across elements in same array, ±2nm spectral response shift
test method
IEC 60747-5 for photoelectric characteristics, ISO 10110 for optical specifications, MIL-STD-883 for environmental testing

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

What is the difference between photovoltaic and photoconductive mode in photodiode elements?

In photovoltaic mode (zero bias), the photodiode generates voltage when illuminated, suitable for low-light applications. In photoconductive mode (reverse bias), it produces current proportional to light intensity, offering faster response and linearity but with higher dark current.

How does element spacing affect performance in photodiode arrays?

Closer element spacing increases spatial resolution but may cause crosstalk between adjacent elements. Typical spacing ranges from 25μm to several millimeters, balancing resolution with signal isolation requirements.

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

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初步技术归类
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URN:CNFX:ME:UNIT:PHOTODIODE_ELEMENT