行业组件数据 · 2026

光敏二极管

繁體：光敏二極體

一种用于检测和测量光强度的半导体元件。

技术定义与适配语境
典型 光敏二极管 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

光敏二极管是一种专门的半导体元件，设计用于通过产生与入射光子通量成正比的电流来检测和测量光强度。它在反向偏置模式下工作，以实现最佳灵敏度和响应时间，具有针对从紫外到近红外的特定波长范围优化的PN结。这些元件经过工程化设计，带有抗反射涂层和精确的掺杂分布，以最大化量子效率，同时最小化暗电流和噪声特性。 基于光电效应工作，其中具有足够能量的入射光子在半导体耗尽区产生电子-空穴对。当反向偏置时，这些载流子被电场扫过，产生与光强度成正比的电流。光谱响应由半导体带隙能量决定，硅二极管通常覆盖400-1100 nm波长范围。

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组件规格

定义
光敏二极管是一种专门的半导体元件，设计用于通过产生与入射光子通量成正比的电流来检测和测量光强度。它在反向偏置模式下工作，以实现最佳灵敏度和响应时间，具有针对从紫外到近红外的特定波长范围优化的PN结。这些元件经过工程化设计，带有抗反射涂层和精确的掺杂分布，以最大化量子效率，同时最小化暗电流和噪声特性。

基于光电效应工作，其中具有足够能量的入射光子在半导体耗尽区产生电子-空穴对。当反向偏置时，这些载流子被电场扫过，产生与光强度成正比的电流。光谱响应由半导体带隙能量决定，硅二极管通常覆盖400-1100 nm波长范围。
工作原理
Operates on the photoelectric effect where incident photons with sufficient energy create electron-hole pairs in the semiconductor depletion region. When reverse-biased, these charge carriers are swept by the electric field, generating a photocurrent proportional to light intensity. The spectral response is determined by the semiconductor bandgap energy, with silicon diodes typically covering 400-1100 nm wavelengths.
材料
硅（Si）用于可见光/近红外范围锗（Ge）用于红外砷化镓（GaAs）用于高速应用铟镓砷（InGaAs）用于扩展红外。封装材料包括陶瓷、金属-玻璃或塑料封装带有光学窗口。
Rise Time
1-100 ns
Active Area
0.1-100 mm²
Capacitance
1-100 pF
Dark Current
1-100 nA @ 10V reverse bias
Responsivity
0.5-0.7 A/W @ 900 nm
Spectral Range
400-1100 nm (Si)
Reverse Voltage
10-100 V
Operating Temperature
-40°C to +85°C
标准
ISO 9022-20IEC 60747-5JEDEC JESD22

行业分类与别名

光敏二极管 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

photodiodelight sensoroptoelectronic componentindustrial photodetectorsemiconductor light sensoroptical measurementphotoelectric conversion光敏二极管Photosensitive diode计算机、电子和光学产品制造 光敏二极管

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

光电探测器/传感器
一种光敏电子元件，用于检测并将光信号转换为电信号。
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FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Exposure to light intensities beyond specified maximum->Saturation and nonlinear response, potential permanent damage to PN junction->Implement optical attenuators, automatic gain control circuits, and intensity monitoring systems
Improper ESD protection during installation->Catastrophic junction breakdown, increased leakage current->ESD-safe handling procedures, integrated protection diodes, proper grounding protocols
Spectral mismatch between light source and diode response->Measurement inaccuracies, reduced signal-to-noise ratio->Precise spectral characterization, matched filter selection, calibration with reference standards

工业生态与工程逻辑

兼容对象
SpectrophotometersLaser alignment systemsOptical encodersQuality inspection camerasFiber optic receiversProcess control sensors
可替换件
HamamatsuOSRAM Opto SemiconductorsVishayExcelitas TechnologiesFirst SensorLaser Components
0
Saturation from excessive light intensity
1
Thermal runaway at high reverse bias
2
Wavelength mismatch causing measurement errors
3
ESD damage during handling
4
Optical window contamination

合规与检测

tolerance
±5% responsivity variation across production batch, ±2nm spectral response shift
test method
IEC 60747-5 for photoelectric parameters, MIL-STD-883 for environmental testing, ISO 9022 for optical performance under varying conditions

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采购评估维度

不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

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常见问题

What is the difference between photovoltaic and photoconductive modes?

In photovoltaic mode (zero bias), the diode generates voltage from light. In photoconductive mode (reverse bias), it produces current with faster response and linear output but requires external power.

How does temperature affect photosensitive diode performance?

Temperature increases dark current exponentially (doubling every 10°C) and slightly shifts spectral response. Industrial applications require temperature compensation circuits or thermoelectric cooling for precision measurements.

What are the main noise sources in industrial photodiodes?

Shot noise from photon statistics, Johnson noise from shunt resistance, and 1/f noise at low frequencies. Proper shielding, filtering, and low-noise amplifiers are essential for signal integrity.

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