半导体结，特别是p-n结，是光电二极管中的关键部件，由两个不同掺杂的半导体区域（p型和n型）接触形成。该结产生一个耗尽区，其内建电场分离入射光子产生的电子-空穴对，产生与光强度成正比的光电流。
半导体结，特别是p-n结，是光电二极管中的关键部件，由两个不同掺杂的半导体区域（p型和n型）接触形成。该结产生一个耗尽区，其内建电场分离入射光子产生的电子-空穴对，产生与光强度成正比的光电流。 当具有足够能量的光子照射半导体结时，会产生电子-空穴对。耗尽区中的内建电场分离这些载流子，使电子向n区移动，空穴向p区移动，从而在结两端产生可测量的光电流或电压。
半导体结 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
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它通过分离耗尽区中产生的电子-空穴对，将入射光转换为电流。
掺杂形成具有多余空穴或电子的p型和n型区域，形成结并建立分离电荷所需的内建电场。
硅用于可见光到近红外，锗用于红外，III-V族化合物如GaAs和InGaAs用于特定波长优化。
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