当红外光子撞击光电二极管的半导体结时，通过光电效应产生电子-空穴对。这会产生与入射光强度成比例的光电流。该器件在反向偏置模式下工作，以提高灵敏度和响应速度，产生的电流由后续电路放大和处理。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 波长范围 | 800–1700 nm | Typical for InGaAs photodiodes |
| 响应度 | 0.9–1.0 A/W | At 1550 nm |
| 暗电流 | 0.1–5 nA | At 5 V reverse bias |
| 带宽 | 1–10 GHz | Depends on active area |
| 光敏面直径 | 0.05–0.5 mm | Larger area reduces bandwidth |
| 工作温度 | -40–85 °C | Extended range available |
| 存储温度 | -55–125 °C | Non-operating |
| 反向击穿电压 | 20–100 V | Minimum |
| 电容 | 0.5–5 pF | At 5 V reverse bias |
| 封装类型 | TO-46 | Other options available |
| 光纤耦合 | FC/PC | Connector type |
| 工作湿度 | 5–95 % RH | Non-condensing |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 常压至 1.5 bar |
| other spec: | 波长：800-1700nm；响应度：0.8-1.0 A/W |
| temperature: | -40°C 至 +85°C |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
对于InGaAs光电二极管，典型波长范围为800–1700 nm，如目录所列。但这是参考范围，具体型号的实际范围应与制造商确认。
光电二极管接收器基于光电效应工作。当红外光子照射半导体结时，产生电子-空穴对，形成与光强度成比例的光电流。通常采用反向偏置以提高灵敏度和速度。
常用材料包括硅、锗和铟镓砷（InGaAs）。每种材料具有不同的光谱响应和性能特点，因此选择取决于应用需求。
典型工作温度范围为-40至85 °C，存储温度范围为-55至125 °C。这些是参考值，务必与制造商核实具体型号。
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