繁體：電晶體陣列
晶体管阵列是一种单片集成电路，在单个半导体封装内包含多个双极结型晶体管（BJT）或场效应晶体管（FET）。
晶体管阵列是一种单片集成电路，在单个半导体封装内包含多个双极结型晶体管（BJT）或场效应晶体管（FET）。在功率放大器（PA）应用中，这些阵列提供具有一致电气特性的匹配晶体管对或组，从而实现高效信号放大、阻抗匹配和热管理。它们设计用于处理高电流和高电压水平，同时在工作频率范围内保持线性度和稳定性。 通过输入信号控制端子之间的电流流动（对于BJT为发射极、基极、集电极；对于FET为源极、栅极、漏极）。在阵列中，多个晶体管共享一个公共衬底，从而能够精确匹配增益、阈值电压和温度系数等参数。这种匹配减少了失真，并改善了PA中差分放大器级、推挽配置和电流镜电路的平衡性。
晶体管阵列 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
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晶体管阵列提供匹配的电气特性（如增益、阈值电压），减少元件数量，改善热耦合，并由于在单一衬底上一致制造而提高可靠性，从而在平衡放大器设计中降低失真并提高性能。
考虑电压和电流额定值、功耗、频率响应、封装类型和匹配容差。确保与放大器拓扑（如A类、B类、AB类）和热管理要求兼容，参考数据手册中的hFE匹配和热阻等参数。
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