行业组件数据 · 2026

变容二极管

繁體:變容二極體

变容二极管,又称可变电抗二极管或调谐二极管,是一种利用反向偏置PN结的电压依赖性电容的专用半导体二极管。

技术定义与适配语境
典型 变容二极管 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

变容二极管,又称可变电抗二极管或调谐二极管,是一种利用反向偏置PN结的电压依赖性电容的专用半导体二极管。其电容随反向电压的增大而减小,因此在通信系统的频率调制、锁相环和调谐电路中至关重要。 变容二极管的工作原理基于反向偏置的PN结,其中耗尽区宽度随外加电压变化,从而改变结电容。在压控振荡器(VCO)中,这种电容变化调整LC谐振电路的谐振频率,实现无需机械组件的精确电子频率控制。

组件规格

定义
变容二极管,又称可变电抗二极管或调谐二极管,是一种利用反向偏置PN结的电压依赖性电容的专用半导体二极管。其电容随反向电压的增大而减小,因此在通信系统的频率调制、锁相环和调谐电路中至关重要。

变容二极管的工作原理基于反向偏置的PN结,其中耗尽区宽度随外加电压变化,从而改变结电容。在压控振荡器(VCO)中,这种电容变化调整LC谐振电路的谐振频率,实现无需机械组件的精确电子频率控制。
工作原理
变容二极管基于反向偏置PN结原理工作,其耗尽层宽度随外加电压变化,从而改变结电容。在压控振荡器(VCO)中,这种电容变化调节LC谐振电路的谐振频率,实现无需机械部件的精确电子频率控制。
材料
硅(Si)或砷化镓(GaAs)半导体晶圆具有掺杂区(P型和N型)金属触点(铝或金)以及陶瓷或塑料封装。
Q值
50-200at 1 MHz
封装类型
SMD (e.g., SOD-323, SOT-23)
调谐比
2:1 to 10:1
反向电压
1-30V
电容范围
1-100pF
工作温度
-55°C to +125°C
标准
IEC 60747JEDEC JESD22

行业分类与别名

变容二极管 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

过高的反向电压->结击穿和永久损坏->实施电压钳位电路并遵守规定的电压限制。
高工作温度->电容漂移和调谐精度降低->使用热管理并选择低温度系数的二极管。

工业生态与工程逻辑

适配说明
该变容二极管适用于压控振荡器、锁相环、射频调谐器和频率合成器。订购前请确认封装类型、电容范围及反向电压等参数与您的应用匹配。
工程风险
  • 热漂移影响电容稳定性
  • 电压过应力导致击穿
  • 制造缺陷导致参数变化

合规与检测

公差
电容公差通常为±5%至±20%,取决于等级
检测方法
根据IEC 60747标准,在指定频率和温度下进行电容-电压(C-V)测量。

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

变容二极管在VCO中的主要功能是什么?

它提供电压依赖的电容,用于电子调节振荡器频率,实现稳定且可调的信号生成。

反向电压如何影响变容二极管?

增加反向电压会加宽耗尽层,从而减小电容,这允许在调谐应用中实现精确的频率控制。

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 计算机、电子和光学产品制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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URN:CNFX:ME:UNIT:VARACTOR_DIODE
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