CCD探测器阵列基于光电效应原理工作。当光子撞击硅基光敏表面时,会产生电子-空穴对。由此产生的电荷被收集在每个像素位置的势阱中。然后,这些电荷通过CCD结构(经由时钟电压脉冲)顺序传输至输出放大器,在此处被转换为电压信号。这些信号的幅度对应于由光谱仪色散元件确定的特定波长位置的光强度。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 大气压(密封封装,非压力额定) |
| flow rate: | 最大照度:100 mW/cm²,暗电流:25°C时 <0.1 nA/cm² |
| temperature: | -20°C 至 +60°C(工作),-40°C 至 +85°C(存储) |
不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
这款CCD探测器阵列专为光学光谱仪设计,在分析仪器中将光信号转换为电信号,以实现精确的检测与测量。
该探测器使用硅作为光敏材料,二氧化硅和多晶硅用于绝缘和电路,铝用于电气连接。
电荷转移结构能高效地将累积的电荷从光敏区域移动到输出放大器,最大限度地减少信号损失,并实现高速、低噪声的读出,从而确保测量精度。
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