CCD探测器阵列基于光电效应原理工作。当光子撞击硅基光敏表面时，产生电子-空穴对。产生的电荷在每个像素位置的电势阱中收集。然后，这些电荷通过时钟电压脉冲依次转移通过CCD结构，到达输出放大器，在那里转换为电压信号。这些信号的幅度对应于由光谱仪色散元件确定的特定波长位置的光强度。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 像素阵列尺寸 | 2048–3648 像素 | Determines spectral resolution and coverage |
| 像素尺寸 | 14–24 μm | Affects sensitivity and dynamic range |
| 光谱响应范围 | 200–1100 nm | Covers UV to NIR |
| 量子效率 | 40–90 % | Peak QE at 600 nm typical |
| 暗电流 | 0.5–10 电子/像素/秒 | At 25°C; lower is better for low-light |
| 读出噪声 | 10–50 e- rms | Affects signal-to-noise ratio |
| 动态范围 | 1000–10000 :1 | Ratio of full well to noise |
| 满阱容量 | 100–500 ke- | Determines maximum signal |
| ADC分辨率 | 16–24 bit | Higher bits for finer intensity resolution |
| 最大数据速率 | 1–10 MHz | Limits frame rate |
| 工作温度 | -40–85 °C | Storage temperature may differ |
| 冷却方式 | TEC or air | TEC reduces dark current |
| 封装类型 | PGA or CLCC | Affects mounting and thermal management |
| 重量 | 5–50 g | Depends on package and cooling |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 大气压（密封封装，非压力额定） |
| other spec: | 最大照度：100 mW/cm²，暗电流：25°C时 <0.1 nA/cm² |
| temperature: | -20°C 至 +60°C（工作），-40°C 至 +85°C（存储） |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
典型光谱响应范围为200–1100纳米，覆盖紫外到近红外。然而，确切范围取决于具体型号和涂层，因此请与制造商确认。
冷却可降低暗电流，即无光时热产生的电子。较低的暗电流可提高信噪比，尤其适用于弱光应用。冷却方式可以是TEC（热电冷却）或空气冷却，具体取决于型号。
像素阵列尺寸（例如2048–3648像素）决定了光谱仪的光谱分辨率和覆盖范围。更大的阵列可以同时捕获更多波长，但具体影响取决于光学设计。
工作温度范围通常为-40至85°C，但存储温度可能不同。为确保可靠运行，请确保环境保持在指定范围内，并在需要弱光测量时考虑冷却。
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