Acrel Co., Ltd.
安科瑞官网列AHKC-E霍尔电流模块，用于AC、DC及脉冲等电流测量。目录AHKC-E独立行给出200～500A输入档位、φ20穿孔、±15V供电及5V/4V输出，订货以具体档位和输出组合为对象。官网联系页分列上海总部与江苏江阴制造公司；具体型号生产地点、报告主体和证书范围列入采购资料。
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- 官网产品分类
- Acrel · AHKC-E霍尔电流传感器
- 资料核查日期
- 2026-10-14
霍尔元件检测磁场，电流和位置还要经过系统换算
霍尔元件、信号调理与封装各自承担什么
三项功能可集成在同一芯片封装内；完整电流模块还包括相应导体、磁路和外壳。板级芯片按引脚连接，模块按一次导体及安装结构选配。
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| 部件 | 作用 | 材料与配置 |
|---|---|---|
| 霍尔敏感元件 | 感测敏感轴上的磁场分量并形成微小电信号；测量轴、正负方向及磁体运动轨迹对应所选芯片和封装视图。[1][2] | 半导体敏感结构；具体裸片材料和工艺属于完整型号的制造资料。 |
| 信号调理及输出电路 | 芯片内部提供偏置、放大、失调与温度补偿，并形成模拟电压或数字锁存输出。TI框图描述的是集成功能。[1][2] | 内部放大、补偿和输出驱动电路与外部应用电路分工：上拉、RC和ADC连接依器件接线方案配置。[1][2] |
| 封装／外壳与连接 | 封装提供防护、安装和引脚连接。SOT-23与TO-92分别采用对应引脚视图和敏感轴；电流模块另有穿孔、导体及固定结构。[1][2][3] | 芯片封装及模块壳体分别按型号标识。LA255-S的塑料壳阻燃等级描述外壳材料，电气绝缘额定和系统证明另属完整型号及应用的要求。[3] |
十二项参数按模拟、数字与模块分别读表
TI芯片参数与LEM模块参数分别绑定下列型号、供电和测试条件。Acrel AHKC-E的供货范围在电流模块段与厂家资料中单列。
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| 参数 | 资料与范围 | 选型含义 |
|---|---|---|
| 供电电压与推荐条件 | DRV5055：3～3.63V或4.5～5.5V；DRV5013：2.5～38V | 以上为推荐运行电压，运行保证采用推荐条件，绝对最大额定描述器件应力边界。DRV5055两个区间之间的区域不按相同灵敏度规格保证，不能按连续3～5.5V选择电源；完整电流模块按其单/双电源接线配置。[1][2][3] |
| 供电电流与输出负载 | 供电消耗、输出负载和模块二次电流分项列示 | DRV5055零场、5V供电时典型3mA、最大5mA；3.3V时典型2mA、最大4mA。DRV5013的消耗随选项与温度变化；开漏负载电流、模拟输出负载和电流模块二次输出各有独立额定。[1][2][3] |
| 输出类型与接收接口 | DRV5055比例模拟电压；DRV5013开漏数字锁存 | 模拟电压送入匹配的ADC；数字锁存输出配外部上拉和接收门限。电流模块的电压/电流输出分别对应输入阻抗或测量电阻，输出形式写入接口表。[1][2][3][4] |
| 灵敏度或动作／释放阈值 | 线性灵敏度用mV/mT；锁存动作用BOP、BRP及迟滞 | DRV5055A1在5V、25°C下典型100mV/mT，A4典型12.5mV/mT；单位换算为1mT＝10G。DRV5013的对应选项分别列动作/释放点的最小、典型、最大值及温度条件。[1][2] |
| 运行温度与型号等级 | DRV5055环境−40～125°C；DRV5013 Q/E上限分别125/150°C | LEM LA255-S模块环境为−10～85°C。环境温度、芯片结温和模块热条件分项读取；Q/E是该芯片的温度选项，车规资格另有对应完整料号和证明。[1][2][3] |
| 储存温度 | TI两个示例非运行储存−65～150°C；LA255-S为−40～90°C | 储存条件用于未通电器件的存放，通电测量采用上一项运行温度及相应电气条件。[1][2][3] |
| 磁场线性范围或触发点 | DRV5055 A1最小±21mT、A4最小±169mT（5V、25°C） | 较高灵敏度对应较小线性场范围，按实际最大场选择增益和输出摆幅。数字锁存按阈值选型，电流模块按一次安培数与输出转换关系选型。[1][2][3] |
| 响应、上电时间与带宽 | 磁场输出延迟、上电时间及带宽分别读表 | DRV5013在规定磁场跳变条件下，输出延迟典型13µs、最大25µs；上电时间典型35µs且上限随选项。DRV5055列20kHz带宽和10µs典型传播延迟，系统响应还包含实际磁路、负载及采集环节。[1][2] |
| 数字输出高电平 | DRV5013释放时的高电平由外部上拉参考形成 | OUT可上拉至供电或另一参考电源；引脚允许电压、漏电、上拉参数和接收门限共同决定实际接口电平。[2] |
| 数字输出低电平与灌电流 | DRV5013低电平由导通电阻、负载电流及温度决定 | 导通电阻表带3.3V、10mA及温度条件；30mA灌电流能力受热条件限制。按实际接收负载计算低电平与耗散。[2] |
| 封装、引脚和磁场方向 | 完整料号对应封装引脚、敏感轴和安装视图 | TI示例有SOT-23及TO-92选项，两封装的引脚排列与相对PCB的测量方向分别读图。电流模块另用穿孔、导体和固定尺寸安排安装。[1][2][3] |
| 重量及安装对象 | LEM LA255-S：110g；一次穿孔23×18mm | 质量与尺寸限于该完整模块；芯片、磁路、外壳与附件在供货清单中分别列项。[3] |
线性芯片、锁存器和电流模块分别选
按输出读数选择交付对象：线性芯片提供连续磁场信息，锁存器提供数字状态，完整电流模块规定一次电流与二次输出的转换。裸磁场芯片的灵敏度不能证明成套电流测量的安培量程或绝缘能力，后两项依实际导体、磁路及模块型号确定。[1][2][3]
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灵敏度越高，可容纳的磁场范围可能越小
DRV5055A1与A4在5V、25°C的典型灵敏度分别为100与12.5mV/mT，对应最小线性范围±21与±169mT。先用实际最大磁场选出能覆盖输入的范围，再看输出摆幅和ADC量程。超出线性区间时按输出特性评估测量误差，这与器件材料损伤属于不同问题。[1]
DRV5055零场输出和灵敏度随供电比例变化。外部ADC采用相同供电作参考时，比例测量可减小供电容差的影响；剩余误差仍包括磁体、安装、零点、线性和温度。A与Z选项分别提供或省去磁体温漂补偿，完整选项决定所用特性。[1]
A1与A4采用本页表列条件。A8首页摘要与磁特性表的范围表述存在差异，选用A8前应取得原厂对实际供电、温度和线性范围的对应说明。[1]
锁存器依相反极性阈值改变状态，零场可保持
DRV5013的动作点与释放点位于相反磁极方向，零磁场通常处在两阈值之间。触发后移开磁体，输出可能继续保持；完整运动轨迹应覆盖需要的动作和释放磁极。AD等正常输出与ND/FD反相选项的极性按完整料号区分。[2]
上电磁场处于BRP和BOP之间时，初始输出可能不确定。启动初始化与磁场跳变后的输出延迟分开测试：记录上电状态、两极性、阈值经过顺序及最终输出。[2]
开漏输出配外部上拉。较小上拉电阻可加快切换，同时增加低电平电流；边沿还受电容、走线与接收端影响。电阻、参考电压、接收门限及芯片耗散共同形成接口设计条件。[2]
核对敏感轴和磁体路径，再排查漂移或丢信号
DRV5055感测垂直于封装顶部的场分量；SOT-23与TO-92对应PCB的方向及引脚顺序分别看图。位置检测同时考虑磁体、距离与运动范围；采用塑料或铝壳的应用布置仍以实际磁场路径和机械公差验证。[1]
读数跳变或偏移时，依次分查供电与参考、输出负载、磁体位置/极性、温度及连接状态。线性器件以实际场和输出摆幅判断是否进入量程边界；锁存器以动作/释放点和状态记录判断切换。电气屏蔽与接地处理电气干扰，敏感轴和磁路则通过实际运动测试验证。[1][2]
DRV5055输出RC可在降低带宽需求时减小噪声；其应用说明要求相应串联电阻，直接容性负载可能使输出不稳定。滤波参数与断线检测在实际板级电路验证。[1]
推荐供电、热条件、绝对最大额定和器件ESD试验各有适用范围。TI的HBM/CDM描述器件级测试，完整模块的系统放电、绝缘和CE等证明对应实际型号及应用。外壳破损、裸线或异常输出按设备检修程序处理。[1][2]
电流输出的负载和绝缘条件必须随型号一起验收
LEM LA255-S是闭环霍尔电流模块，一次额定250A、测量范围±500A、二次额定125mA、转换比1:2000。测量电阻按供电、所测电流及温度表选择，额定点与允许负载一起进入电流接口设计。[3]
LA255-S分别列安全分隔和基本绝缘额定电压，并附污染等级、一次导体布置条件；响应另有导体及di/dt条件。长期工作电压、耐压试验、壳体阻燃和系统证明分别对应各自检验对象，沿用该模块的完整表格及脚注。[3]
Acrel的AHKC-E页说明用于AC、DC和脉冲等电流测量。该目录图片的AHKC-E独立行列200～500A额定输入档位、φ20穿孔、±15V供电、5V/4V输出；这些数据限定在E行及具体订货档位。多系列表中其它行另有自己的输出、孔径和供电，选型以完整AHKC-E型号资料为依据。[4]
向厂家要的资料：完整料号、磁体轨迹与电流工况
器件及交付：线性芯片、磁开关/锁存器或电流模块；完整料号、输出选项、封装、引脚、温度选项及材料资料。
磁场任务：磁体材料和极性、敏感轴、距离、全程运动位置；模拟任务附最大磁场、线性范围、供电、ADC参考及误差目标；锁存任务附BOP/BRP、迟滞、上电状态、上拉与接收门限。
电流任务：额定与峰值、AC/DC/脉冲波形、导体布置、二次输出与负载；AHKC-E写清200～500A中的订货档位及对应输出。
性能及证明：带宽与响应计时口径、温漂/零点条件、推荐运行电压与额定；LA255-S等模块附负载表、绝缘对象及完整脚注，型号证书和系统验收范围分列。
安装与采购：芯片视图、模块穿孔、固定及线缆附件，板级RC与接收接口，检修资料、制造/报告主体及交付清单；A8选项补原厂范围说明，Acrel补具体型号生产地点和证书范围。
关联的应用系统与部件
以下入口来自产品关系，用于继续查阅；具体机型的装配和兼容性仍需对应型号资料。
应用系统
资料来源与适用范围
核对日期：2026-10-14。原厂资料分别对应TI磁场芯片、LEM完整电流模块和Acrel电流模块目录，型号、测试条件与脚注随相应资料使用。
- TI DRV5055数据表，SBAS640C，2026-0635页；3～7、10～13、15～19页表图：推荐供电两区间、A1/A4灵敏度与范围、敏感轴、比例测量及RC应用条件；A8范围差异另按原厂说明。
- TI DRV5013数字锁存器数据表，SLIS150N，2025-0738页；3～6、10～16页：磁极阈值、正常/反相输出、开漏接口、启动状态及规定条件的输出延迟。
- LEM LA255-S闭环霍尔电流传感器数据表三页原厂资料；1～2页：LA255-S电流转换、供电/负载、绝缘脚注及安装，适用对象为该完整模块。
- Acrel AHKC-E当前产品页及目录参数图片AHKC-E独立行的200～500A档位、φ20孔、±15V供电和5V/4V输出；多系列图片按对应行读取，型号证明另属采购资料。
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