ROM（只读存储器）通过物理制造（如掩模ROM）或一次性编程永久存储数据。闪存是一种电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），利用浮栅晶体管存储数据。通过施加特定电压脉冲改变浮栅上的电荷，从而改变晶体管的阈值电压，表示二进制数据（0或1），实现数据的写入（编程）或擦除。CPU通过地址和数据总线读取这些数据。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 存储容量 | 1–64 GB | Select based on firmware size and data logging needs. |
| 读取速度 | 100–350 MB/s | Sequential read; higher speeds reduce boot time. |
| 写入速度 | 30–150 MB/s | Sequential write; lower for NAND-based storage. |
| 耐久性（编程/擦除周期） | 1000–100000 次 | Higher for SLC, lower for TLC/QLC.JESD47 |
| 工作温度 | -40–85 °C | Industrial grade; commercial grade is 0–70°C.IEC 60068-2-1 |
| 存储温度 | -55–125 °C | Non-operating; ensures data retention.IEC 60068-2-2 |
| 供电电压 | 3.3 ±10% V DC | Typical for NAND/NOR flash.JEDEC JESD8-7 |
| 功耗（工作状态） | 0.5–3.0 W | Depends on capacity and interface. |
| 数据保持时间 | 10–20 年 | At 25°C; decreases at higher temperatures.JEDEC JESD47 |
| 接口类型 | SPI/QSPI/Parallel | Select based on host controller.JEDEC JESD216 |
| 封装类型 | SOP-8/TSOP-48/BGA-64 | Footprint compatibility.JEDEC MO-142 |
| 重量 | 0.5–5.0 g | Varies with package and capacity. |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 大气压（密封封装），无需压力等级 |
| flow rate: | 不适用 |
| temperature: | -40°C 至 +85°C（工业级），-40°C 至 +125°C（汽车级） |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
ROM通常在制造时编程，不能电改写；而闪存可电擦除和重编程，允许固件更新。
根据固件大小和数据记录需求选择容量。参考范围为1-64 GB，但需根据系统设计确认具体需求。
耐久性表示存储器在退化前能承受的编程/擦除周期数。范围从1,000到100,000次，SLC较高，TLC/QLC较低。
工作温度定义了可靠运行的环境限制。工业级为-40°C至85°C，但需与制造商核实您的应用。
CNFX 是开放目录，不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。
CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。
说明目标数量、应用场景、交期和关键技术要求，用于准备 RFQ 或供应商评估。
