串行器在每个并行时钟周期内将N位并行字加载到内部寄存器。使用更高速度的内部时钟（通常是并行时钟速率的N倍），多路复用器按预定顺序依次选择寄存器中的每一位，逐个输出以形成串行流。通常嵌入时钟和数据恢复（CDR）信息以同步接收器。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 数据速率 | 1–12.5 Gbps | Maximum serial data throughput |
| 输入并行总线宽度 | 8–32 bit | Number of parallel input lines |
| 电源电压 | 1.8–3.3 V | Core and I/O voltage range |
| 功耗 | 50–500 mW | At maximum data rate |
| 工作温度范围 | -40–85 °C | Industrial gradeIEC 60068-2-14 |
| 输入逻辑电平 | LVCMOS 1.8/2.5/3.3 V | Compatible with standard logic familiesJESD8-7 |
| 输出差分电压 | 350–700 mV | Peak-to-peak differential swingV-by-One HS |
| 抖动（RMS） | ≤5 ps | Random jitter at max rate |
| 封装类型 | QFN-32, QFP-48 | Lead-free, RoHS compliantJEDEC MS-026 |
| 静电放电保护 | ±2–±4 kV | HBM modelIEC 61000-4-2 |
| 工作湿度 | 10–90 %RH | Non-condensingIEC 60068-2-78 |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 不适用（电子元件，对压力不敏感） |
| other spec: | 数据速率：高达28 Gbps（高速），电源电压：1.8V 至 3.3V，并行输入宽度：4 至 32 位 |
| temperature: | -40°C 至 +85°C（工业级），-40°C 至 +125°C（扩展级） |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
串行器将并行数据位转换为串行比特流，减少所需传输线路数量，从而在更少的物理通道上实现高速数据传输。
典型数据速率范围为1至12.5 Gbps，但实际速率取决于具体型号和应用。请查阅数据手册以获取确切支持范围。
相关标准包括JESD8-7（输入逻辑电平）、V-by-One HS（输出差分电压）、IEC 60068-2-14（温度测试）和IEC 61000-4-2（ESD）。这些是参考点；请与制造商确认合规性。
考虑所需数据速率、并行总线宽度、电源电压、功耗、工作温度范围和封装类型。请与制造商的数据手册核实所有参数，并确保组件满足系统的接口和环境要求。
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