光电二极管阵列

光电二极管阵列是位置敏感探测器（PSD）系统中的关键组件。它由多个分立的光电二极管元件以精确图案（通常为线性或矩阵）排列而成。在PSD中，阵列捕获入射光，通过分析各个二极管上的信号分布，系统可以确定落在其表面的光斑或图像的位置、移动或轮廓，具有高空间分辨率。该阵列制造在半导体衬底上，常用材料包括硅（Si）、锗（Ge）和铟镓砷（InGaAs），每种材料提供不同的光谱响应范围。像素间距，定义为相邻光电二极管之间的中心到中心间距，是决定PSD空间分辨率的关键参数；典型值以毫米（mm）为单位，必须针对具体型号进行确认。阵列的工作原理基于半导体p-n结中的光电效应：能量超过带隙的光子产生电子-空穴对，从而产生与每个二极管处入射光强度成正比的光电流。读出电路（通常为多路复用）顺序或同时测量每个元件的电流，创建光强度的空间图。在PSD应用中，算法处理该图以计算光分布的质心或形状，将其转换为精确的位置数据。选择光电二极管阵列时，工程师必须根据应用要求验证像素间距、有源区尺寸、光谱响应和读出架构。必须与法定制造商或供应商确认这些规格，因为目录仅提供参考范围。该阵列是组件而非完整系统，其性能取决于与适当光学、电子和信号处理的集成。维护信号包括灵敏度降低或元件间响应不均匀，这可能表明损坏或污染。故障边界包括超过最大反向电压或工作温度，这可能导致性能下降或永久损坏。