阵列中的每个光电二极管基于半导体p-n结的光电效应原理工作。当光子撞击二极管的有效区域时，如果其能量超过半导体的带隙，就会产生电子-空穴对。这会产生与该特定位置的光强度成正比的光电流。阵列的读出电路（通常是多路复用的）顺序或同时测量每个二极管的电流，从而创建光强度的空间分布图。在PSD应用中，算法随后处理该强度分布图，以计算光分布的质心或形状，并将其转换为精确的位置数据。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
该产品或部件会出现在以下工业系统、设备或上级产品中。
| pressure: | 大气压至1个大气压（标准封装），特殊封装可兼容真空 |
| flow rate: | 不适用 |
| temperature: | -40°C 至 +85°C（工作温度），-55°C 至 +125°C（存储温度） |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
光电二极管阵列在光谱分析、成像系统、光学字符识别、条码扫描以及各种电子和光学设备中的光测量方面至关重要。
硅阵列最适合可见光，锗适合近红外光，InGaAs适合扩展的红外范围。材料选择决定了光谱响应、灵敏度和工作温度范围。
关键考虑因素包括阵列几何形状（线性与二维）、像素间距和均匀性、暗电流、响应时间、光谱范围匹配以及通过键合焊盘与读出电子设备的正确接口。
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