等离子体源通过在真空腔内对气体施加电磁能量（射频、微波或直流），使气体分子电离，产生含有离子、电子和中性粒子的反应性等离子体。这些粒子与半导体表面相互作用，实现蚀刻、沉积或清洗等工艺。通过调节射频功率、气体流量和腔室压力等参数，控制等离子体的密度、均匀性和能量，从而实现精确的纳米级制造。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 射频功率 | 300–3000 W | Determines plasma density and etch/deposition rate |
| 射频频率 | 13.56 MHz | Standard industrial frequency for plasma processingIEC 60063 |
| 气体流量 | 10–500 sccm | Controls plasma chemistry and uniformity |
| 匹配阻抗 | 50 Ω | Standard RF system impedanceIEC 60063 |
| 功率稳定性 | ±1 % | Ensures process repeatability |
| 冷却水流量 | 5–20 L/min | Required for thermal management |
| 冷却水温度 | 15–25 °C | Maintains stable operation |
| 工作温度 | 5–40 °C | Ambient temperature range |
| 相对湿度 | 20–80 % | Non-condensing |
| 输入电压 | 200–240 V AC | Single phaseIEC 60038 |
| 输入频率 | 50–60 Hz | Auto-switchingIEC 60038 |
| 重量 | 15–25 kg | Depends on configuration |
| 尺寸（宽×深×高） | 300×400×200 mm | Typical rack-mount size |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 1 mTorr - 10 Torr |
| flow rate: | 10-1000 sccm |
| temperature: | 20-400°C |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
参考射频功率范围为300–3000 W，但具体值取决于型号和工艺要求。请务必与制造商核实。
射频频率和匹配阻抗参考IEC 60063，输入电压和频率参考IEC 60038。这些是采购参考，并非认证。
档案中的材料包括石英、铝、不锈钢和陶瓷。未列出具体牌号，需与供应商确认。
工作压力范围为1.0–1.6 MPa。但这是参考范围，请与制造商确认实际应用要求。
CNFX 是开放目录，不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。
CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。
说明目标数量、应用场景、交期和关键技术要求，用于准备 RFQ 或供应商评估。