电路工作在两个阶段：采样阶段，开关（通常为MOSFET）闭合，将输入信号连接到保持电容，使其充电或放电至输入电压；保持阶段，开关断开，隔离电容，由于电荷存储而维持采样电压，为ADC的量化器提供稳定输入。采集时间（1-10 µs）是电容充电至输入电压0.1%以内所需时间。孔径延迟（10-50 ns）是保持命令到开关断开的延迟，孔径抖动（1-10 ps RMS）是其变化。保持电容（10-1000 pF）决定下降速率和采集时间的权衡。下降速率（0.1-10 mV/ms）是由于泄漏导致的电容电压衰减。建立时间（1-20 µs）是保持命令后达到最终值0.01%的时间。电荷注入（0.1-10 pC）发生在开关断开时，导致台阶误差。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 采集时间 | 1-10 µs | 电容器充电至输入电压的0.1%以内所需的时间。 |
| 孔径延迟 | 10-50 ns | 从保持命令到开关断开之间的延迟。 |
| 孔径抖动 | 1-10 ps RMS | 孔径延迟的变化，影响高频时的信噪比。 |
| 保持电容 | 10-1000 pF | 决定压降速率和采集时间之间的权衡。 |
| 压降速率 | 0.1-10 mV/ms | 由于泄漏导致保持电容上的电压衰减速率。 |
| 输入失调电压 | 0.1-5 mV | 输入电压与保持电压之间的直流偏移。 |
| 增益误差 | 0.01-0.1 满量程的 % | 与理想增益1的偏差。 |
| 电源电压 | ±5–±15 V | 通常为双电源；也可提供单电源选项。 |
| 功耗 | 10-500 mW | 取决于速度和架构。 |
| 工作温度范围 | -40–+85 °C | 工业级；可提供扩展温度范围。 |
| 输入电压范围 | 0 to Vcc-1.5 V | 对于单电源；对于双电源，通常为±Vcc。 |
| 输出电压范围 | 0 to Vcc-1.5 V | 必须与ADC输入范围匹配。 |
| 输入阻抗 | 10^12 Ω | 高阻抗FET输入。 |
| 输出阻抗 | 0.1-10 Ω | 低输出阻抗，用于驱动ADC。 |
| 建立时间 | 1-20 µs | 保持命令后达到最终值的0.01%所需的时间。 |
| 采样/保持开关泄漏 | 1-100 pA | 开关断开时的泄漏电流。 |
| 电荷注入 | 0.1-10 pC | 开关断开时转移到电容上的电荷，导致台阶误差。 |
| 封装类型 | SOIC-8, DIP-8, SOT-23-5 | 取决于供应商和器件。 |
| 温度 | -40–+85 °C | 超出此范围：性能下降；失调和增益误差增大，压降速率恶化。 |
| 输入信号频率 | DC to 10 MHz (for 1 µs acquisition) | 超出此范围：高于带宽时，由于建立不足，采样精度下降。 |
| 输入信号幅度 | 0 to Vcc-1.5 V (single supply) | 超出此范围：超过范围会导致非线性并可能损坏。 |
| 保持时间 | 1 µs to 10 ms | 超出此范围：较长的保持时间会增加压降误差，超出可接受限度。 |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
该产品或部件会出现在以下工业系统、设备或上级产品中。
| accuracy: | 典型值0.01%至0.1%（取决于元件容差） |
| hold time: | 微秒至秒（取决于电容器泄漏） |
| temperature: | -40°C至+85°C（工业级），-55°C至+125°C（军用级） |
| sampling rate: | 直流至100 MHz（因型号而异） |
| voltage range: | 电源电压±5V至±18V，输入信号在电源轨范围内 |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
它在特定时刻捕获模拟信号的瞬时电压，并在转换过程中保持恒定，确保ADC看到稳定的输入。
采样阶段：开关闭合，电容充电至输入电压；保持阶段：开关断开，电容维持电压，为ADC提供稳定输入。
孔径延迟是从保持命令到开关断开的时间（10-50 ns）。它影响采样时刻的准确性，尤其是在高频时。
下降速率（0.1-10 mV/ms）是保持电容因泄漏导致的电压衰减。它限制了最大保持时间，超过后电压漂移超出可接受误差。
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