技术参数与制造背景: 电压比较器/逻辑门
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 电源电压 | 2–36 V DC | Single or dual supply |
| 输入失调电压 | ±5 mV | At 25°C |
| 输入偏置电流 | 25–250 nA | Depends on input stage |
| 响应时间 | 0.3–1.3 µs | For 100 mV overdrive |
| 输出电流 | 16–20 mA | Sink or source capability |
| 工作温度范围 | -40–85 °C | Industrial grade |
| 存储温度范围 | -65–150 °C | Non-operating |
| 功耗 | 500–1000 mW | Maximum at 25°C |
| 封装类型 | SOP-8, DIP-8 | Standard IC packages |
| 静电放电耐受 | 2–4 kV | HBM modelIEC 61000-4-2 |
区间为行业参考值,供询价时圈定范围用,不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
| pressure: | 不适用(固态电子元件) |
| other spec: | 电源电压范围:2V 至 36V,输入失调电压:±1mV 至 ±5mV,响应时间:1ns 至 100ns |
| temperature: | -40°C 至 +125°C(工业级) |
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些项目是采购核对事项,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
说明目标数量、应用场景、交期和关键技术要求,用于准备 RFQ 或供应商评估。
电源电压范围为2–36 V DC,支持单电源或双电源配置。请与制造商确认具体型号的准确范围。
响应时间为0.3–1.3 µs(100 mV过驱动)。这表示在输入差异施加后,输出改变状态的速度。
标准IC封装包括SOP-8和DIP-8。可能还有其他封装选项,请与供应商核实。
ESD耐受电压为2–4 kV(HBM模型),符合IEC 61000-4-2标准。这是参考值;请确保实际型号满足您的应用ESD要求。
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