行业组件数据 · 2026

高压二极管

繁體:高壓二極體

一种半导体器件,设计用于在高压下允许电流单向流动并阻断反向电流,专门用于电压倍增电路。

技术定义与适配语境
典型 高压二极管 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 电气设备制造 中评估。

一种半导体器件,设计用于在高压下允许电流单向流动并阻断反向电流,专门用于电压倍增电路,通过级联整流级产生高于输入交流电压的直流电压。 基于PN结半导体物理原理,正向偏置时允许电子-空穴复合以传导电流,反向偏置时形成耗尽区阻断电流。在电压倍增电路中,多个二极管与电容器以梯形配置(Cockcroft-Walton、Villard电路)协同工作,逐步累加交流输入的电压峰值,通过电荷泵浦和存储机制实现电压倍增。

组件规格

定义
一种半导体器件,设计用于在高压下允许电流单向流动并阻断反向电流,专门用于电压倍增电路,通过级联整流级产生高于输入交流电压的直流电压。

基于PN结半导体物理原理,正向偏置时允许电子-空穴复合以传导电流,反向偏置时形成耗尽区阻断电流。在电压倍增电路中,多个二极管与电容器以梯形配置(Cockcroft-Walton、Villard电路)协同工作,逐步累加交流输入的电压峰值,通过电荷泵浦和存储机制实现电压倍增。
工作原理
基于PN结半导体物理,正向偏置时电子-空穴复合导通电流,反向偏置时形成耗尽区阻断电流。在倍压电路中,多个二极管与电容以梯形结构(Cockcroft-Walton、Villard电路)配合,从交流输入逐步叠加电压峰值,通过电荷泵浦和存储机制实现电压倍增。
材料
硅(Si)或碳化硅(SiC)半导体晶圆带有掺杂区域铝或金丝键合陶瓷或环氧树脂封装镀镍铜引线玻璃钝化层
电容
1-10pF
正向电流
100 mA - 5A
击穿电压
15-120kV
正向压降
0.7-1.2V
结温
-55°C to +175°C
反向恢复时间
50 ns - 1μs
峰值反向电压(PIV)
10-100kV
标准
IEC 60747MIL-PRF-19500JEDEC JESD22

行业分类与别名

高压二极管 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

超过PIV额定值的电压瞬变->灾难性结击穿->实施缓冲电路,使用具有20%电压裕量的二极管,安装浪涌保护装置
散热不足->热失控和永久损坏->计算热阻,使用合适的散热器,用传感器监测结温
二极管表面污染->表面爬电和绝缘失效->涂覆保形涂层,保持清洁环境,使用气密密封封装

工业生态与工程逻辑

适配说明
该高压二极管适用于倍压电路、高压电源、静电除尘器、X射线发生器和激光电源。订购前请确认击穿电压、正向电流和封装形式与您的应用匹配。
工程风险
  • 过电压下的介电击穿
  • 过大电流导致的热失控
  • 污染环境中的局部放电
  • 热循环引起的机械应力开裂

合规与检测

公差
击穿电压±5%,正向电压±10%
检测方法
半导体器件IEC 60747-1,反向偏置漏电流在额定电压的80%下测量,高电位测试按IEC 61010

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

Rugao Lian Tuo Electronics Co.,Ltd
· Jiangsu · CN
Anshan Suly Electronics Co. Ltd.
Anshan · Liaoning · CN
Yangzhou Positioning Tech Co., Ltd.
Yangzhou · Jiangsu · CN

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

高压二极管与标准二极管的主要区别是什么?

高压二极管具有更厚的耗尽区和特殊结构,可承受10kV至100kV以上的反向电压,而标准二极管通常额定低于1kV。它们采用梯度结、场板和钝化层以防止电压击穿。

为什么倍压电路在工业应用中很重要?

它们能够从较低的交流输入产生高直流电压,无需笨重的变压器,这对于X射线设备、静电除尘器、激光电源和粒子加速器等需要紧凑高压源的场合至关重要。

温度如何影响高压二极管的性能?

温度升高会降低击穿电压(负温度系数)并增加漏电流。碳化硅二极管由于更宽的带隙,在高温性能上优于硅二极管。

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

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数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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对比具备该组件加工或装配能力的制造商资料。

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URN:CNFX:ME:UNIT:HIGH_VOLTAGE_DIODE
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