繁體:高壓二極體
一种半导体器件,设计用于在高压下允许电流单向流动并阻断反向电流,专门用于电压倍增电路。
一种半导体器件,设计用于在高压下允许电流单向流动并阻断反向电流,专门用于电压倍增电路,通过级联整流级产生高于输入交流电压的直流电压。 基于PN结半导体物理原理,正向偏置时允许电子-空穴复合以传导电流,反向偏置时形成耗尽区阻断电流。在电压倍增电路中,多个二极管与电容器以梯形配置(Cockcroft-Walton、Villard电路)协同工作,逐步累加交流输入的电压峰值,通过电荷泵浦和存储机制实现电压倍增。
高压二极管 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。
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高压二极管具有更厚的耗尽区和特殊结构,可承受10kV至100kV以上的反向电压,而标准二极管通常额定低于1kV。它们采用梯度结、场板和钝化层以防止电压击穿。
它们能够从较低的交流输入产生高直流电压,无需笨重的变压器,这对于X射线设备、静电除尘器、激光电源和粒子加速器等需要紧凑高压源的场合至关重要。
温度升高会降低击穿电压(负温度系数)并增加漏电流。碳化硅二极管由于更宽的带隙,在高温性能上优于硅二极管。
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