繁體:紅外發光二極體晶片
一种微型半导体器件,由砷化镓(GaAs)或铝镓砷(AlGaAs)材料制成,在正向偏置时发射红外光谱(通常为850-950 nm波长)的电磁辐射。
红外发光二极管芯片是一种微型半导体器件,由砷化镓(GaAs)或铝镓砷(AlGaAs)材料制成,设计用于在正向偏置时发射红外光谱(通常为850-950 nm波长)的电磁辐射。作为光电耦合器组件的核心光源,它将电信号转换为光信号,光信号穿过隔离屏障以激活光电探测器,从而实现电路之间的电隔离。 基于电致发光原理工作:当正向电压施加在p-n结上时,电子和空穴在有源区复合,以红外光谱中的光子形式释放能量。发射的红外光强度与正向电流成正比。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
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红外LED芯片作为光源,将电输入信号转换为红外光信号,然后跨越隔离间隙激活光电探测器,在传输信号的同时提供电路间的电气隔离。
选择红外波长(850-950 nm)是因为硅光电探测器在此范围内具有峰值灵敏度,从而实现更高效率。此外,红外光不可见,减少环境光干扰,并且与封装材料具有更好的兼容性。
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