行业组件数据 · 2026

红外发光二极管芯片

繁體:紅外發光二極體晶片

一种微型半导体器件,由砷化镓(GaAs)或铝镓砷(AlGaAs)材料制成,在正向偏置时发射红外光谱(通常为850-950 nm波长)的电磁辐射。

技术定义与适配语境
典型 红外发光二极管芯片 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

红外发光二极管芯片是一种微型半导体器件,由砷化镓(GaAs)或铝镓砷(AlGaAs)材料制成,设计用于在正向偏置时发射红外光谱(通常为850-950 nm波长)的电磁辐射。作为光电耦合器组件的核心光源,它将电信号转换为光信号,光信号穿过隔离屏障以激活光电探测器,从而实现电路之间的电隔离。 基于电致发光原理工作:当正向电压施加在p-n结上时,电子和空穴在有源区复合,以红外光谱中的光子形式释放能量。发射的红外光强度与正向电流成正比。

组件规格

定义
红外发光二极管芯片是一种微型半导体器件,由砷化镓(GaAs)或铝镓砷(AlGaAs)材料制成,设计用于在正向偏置时发射红外光谱(通常为850-950 nm波长)的电磁辐射。作为光电耦合器组件的核心光源,它将电信号转换为光信号,光信号穿过隔离屏障以激活光电探测器,从而实现电路之间的电隔离。

基于电致发光原理工作:当正向电压施加在p-n结上时,电子和空穴在有源区复合,以红外光谱中的光子形式释放能量。发射的红外光强度与正向电流成正比。
工作原理
基于电致发光原理:当正向电压施加于PN结时,电子与空穴在有源区复合,释放出红外光谱范围内的光子。发射的红外光强度与正向电流成正比。
材料
砷化镓(GaAs)或铝镓砷(AlGaAs)外延层位于衬底上采用金或铝键合线封装在透明硅胶或环氧树脂中以实现光传输。
波长
850-950nm
视角
15-30度
上升/下降时间
10-100ns
正向电流
20-100mA
正向电压
1.2-1.6V
辐射强度
10-100mW/sr
标准
IEC 60747-5-2JEDEC JESD22

行业分类与别名

红外发光二极管芯片 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

超过规格的正向电流->热失控导致灾难性失效->在驱动器设计中实施限流电路和热管理
组装过程中的静电放电->潜在或立即的结损伤,降低输出->使用防静电工作站和正确的处理程序

工业生态与工程逻辑

适配说明
该红外LED芯片适用于光电耦合器组件、光隔离模块和工业控制系统。订购前请确认波长、辐射强度等参数与您的应用匹配。
工程风险
  • 处理过程中的静电放电损伤
  • 过大电流导致的热退化
  • 封装材料的分层
  • 温度循环引起的波长漂移

合规与检测

公差
波长变化±5%,辐射强度±10%
检测方法
IEC 60747-5-2 光电子器件,包括在受控条件下的光谱分布、正向电压和辐射强度测量

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

在光电耦合器中,红外LED芯片的主要功能是什么?

红外LED芯片作为光源,将电输入信号转换为红外光信号,然后跨越隔离间隙激活光电探测器,在传输信号的同时提供电路间的电气隔离。

为什么在光电耦合器中优先选择红外波长而不是可见光?

选择红外波长(850-950 nm)是因为硅光电探测器在此范围内具有峰值灵敏度,从而实现更高效率。此外,红外光不可见,减少环境光干扰,并且与封装材料具有更好的兼容性。

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 计算机、电子和光学产品制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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说明目标数量、应用场景、交期和关键技术要求,用于准备 RFQ 或供应商评估。

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需要制造 红外发光二极管芯片?

对比具备该组件加工或装配能力的制造商资料。

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URN:CNFX:ME:UNIT:INFRARED_LED_DIE
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