繁體：紅外發光二極體晶片
一种微型半导体器件，由砷化镓（GaAs）或铝镓砷（AlGaAs）材料制成，在正向偏置时发射红外光谱（通常为850-950 nm波长）的电磁辐射。
红外发光二极管芯片是一种微型半导体器件，由砷化镓（GaAs）或铝镓砷（AlGaAs）材料制成，设计用于在正向偏置时发射红外光谱（通常为850-950 nm波长）的电磁辐射。作为光电耦合器组件的核心光源，它将电信号转换为光信号，光信号穿过隔离屏障以激活光电探测器，从而实现电路之间的电隔离。 基于电致发光原理工作：当正向电压施加在p-n结上时，电子和空穴在有源区复合，以红外光谱中的光子形式释放能量。发射的红外光强度与正向电流成正比。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
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The infrared LED die serves as the light source that converts electrical input signals into infrared optical signals, which then cross an isolation gap to activate a photodetector, providing electrical isolation between circuits while transmitting signals.
Infrared wavelengths (850-950 nm) are used because silicon photodetectors have peak sensitivity in this range, resulting in higher efficiency. Additionally, IR light is invisible, reduces interference from ambient light, and allows for better material compatibility with encapsulation compounds.
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