行业组件数据 · 2026

感光区域

繁體:感光區域

感光区域是CCD(电荷耦合器件)探测器阵列中的关键部件,由光电二极管或光栅阵列组成。

技术定义与适配语境
典型 感光区域 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 计算机、电子和光学产品制造 中评估。

感光区域是CCD(电荷耦合器件)探测器阵列中的关键部件,由光电二极管或光栅阵列组成。当暴露于光线时,这些元件产生与入射光子通量成正比的电子-空穴对,形成电荷,随后通过CCD的读出电路转移并转换为数字图像数据。 基于光电效应工作,入射光子撞击半导体材料(通常为硅),产生电子-空穴对。每个像素中积累的电荷与光强度和曝光时间成正比,然后通过施加电压形成的势阱转移到输出放大器进行信号处理。

组件规格

定义
感光区域是CCD(电荷耦合器件)探测器阵列中的关键部件,由光电二极管或光栅阵列组成。当暴露于光线时,这些元件产生与入射光子通量成正比的电子-空穴对,形成电荷,随后通过CCD的读出电路转移并转换为数字图像数据。

基于光电效应工作,入射光子撞击半导体材料(通常为硅),产生电子-空穴对。每个像素中积累的电荷与光强度和曝光时间成正比,然后通过施加电压形成的势阱转移到输出放大器进行信号处理。
工作原理
Operates on the photoelectric effect where incident photons strike semiconductor material (typically silicon), generating electron-hole pairs. The accumulated charge in each pixel is proportional to light intensity and exposure time, then transferred via potential wells created by applied voltages to output amplifiers for signal processing.
材料
单晶硅衬底带有掺杂区域(p型/n型)二氧化硅绝缘层多晶硅电极以及抗反射涂层(氮化硅或二氧化钛)。
Pixel Size
3-30 μm
Fill Factor
>90%
Dark Current
<0.1 nA/cm² at 25°C
Dynamic Range
>70 dB
Spectral Response
400-1100 nm
Quantum Efficiency
>70% at 550 nm
标准
ISO 12232ISO 15739DIN 58141-2

行业分类与别名

感光区域 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

Contamination during semiconductor processing->Dead pixels or reduced quantum efficiency->Cleanroom manufacturing with particle monitoring and automated optical inspection
Electrostatic discharge during handling->Gate oxide breakdown and permanent damage->ESD-protected workstations, conductive packaging, and operator training
Thermal stress from improper cooling->Increased dark current and reduced dynamic range->Active cooling systems with temperature monitoring and thermal interface optimization

工业生态与工程逻辑

0
Quantum efficiency degradation over time
1
Dark current increase with temperature
2
Pixel defects from manufacturing
3
Charge transfer inefficiency
4
Blooming in high-light conditions

合规与检测

tolerance
Pixel pitch tolerance ±0.1 μm, quantum efficiency variation <5% across array
test method
ISO 12232 for sensitivity measurement, dark current testing at multiple temperatures, modulation transfer function analysis

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

制造商列表用于前期研究和供应商能力理解,不代表认证、排名或交易担保。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

What determines the sensitivity of a photosensitive region?

Sensitivity is determined by quantum efficiency, pixel size, fill factor, and semiconductor material properties, with optimized designs achieving over 70% quantum efficiency in visible spectrum.

How does temperature affect photosensitive region performance?

Higher temperatures increase dark current (thermal noise) and reduce signal-to-noise ratio, requiring cooling systems for precision applications to maintain <0.1 nA/cm² dark current.

Can photosensitive regions be customized for specific wavelengths?

Yes, through material selection (e.g., silicon for visible, InGaAs for infrared) and anti-reflective coating optimization, spectral response can be tailored from 200 nm to 1700 nm.

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 计算机、电子和光学产品制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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