GDT内部含有惰性气体（通常为氖、氩或氙），位于两个或多个电极之间。在正常操作条件下，气体不导电。当电极间电压超过管子的击穿电压时，气体电离，产生等离子体，导电并将浪涌泄放到地。一旦浪涌过去，电流降至维持电流以下，气体去电离，恢复到高阻抗状态。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 直流击穿电压 | 75–1000 V | Voltage at which the tube ionizes and conducts.IEC 61643-311 |
| 冲击击穿电压 | 600–2500 V | Response to fast-rising surges.IEC 61643-311 |
| 标称放电电流 | 5–20 kA | Surge current capability for 8/20 µs waveform.IEC 61643-311 |
| 绝缘电阻 | ≥1000 MΩ | Measured at 100 V DC.IEC 61643-311 |
| 电容 | 0.5–5 pF | At 1 MHz; low capacitance minimizes signal distortion. |
| 工作温度范围 | -40–85 °C | Beyond this range, performance may degrade. |
| 存储温度范围 | -55–125 °C | Non-operating storage conditions. |
| 管体直径 | 5–8 mm | Common package sizes for PCB mounting. |
| 管体长度 | 5–10 mm | Affects creepage distance and mounting footprint. |
| 重量 | 0.5–2 g | Typical weight for through-hole components. |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 大气压至1.5巴 |
| other spec: | 其他规格：浪涌电流：5kA至100kA，直流火花放电电压：75V至10kV |
| temperature: | -40°C至+85°C |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
GDT的直流击穿电压典型范围为75 V至1000 V，具体取决于型号。这是管子开始导通的电压。务必与制造商确认具体零件号的准确值。
冲击击穿电压表示对快速上升浪涌的响应，典型范围为600 V至2500 V。该参数对于预期有雷电或开关瞬变的应用很重要。请与供应商确认您的应用中的数值。
对于8/20 µs波形，标称放电电流典型为5 kA至20 kA。这表示GDT能承受而不损坏的浪涌电流。确保GDT的额定值符合您系统中的预期浪涌水平。
电容在1 MHz下典型为0.5 pF至5 pF，以最小化信号失真。绝缘电阻在100 V DC下至少为1000 MΩ。这些值对于高频应用和泄漏电流考虑很重要。请与制造商确认具体型号。
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