光耦使用发光二极管和光电探测器通过光在绝缘屏障上传输信号,而变压器则通过绝缘绕组之间的电磁感应来传输电力或信号,同时保持初级和次级电路之间的电气隔离。在光耦中,电信号驱动LED,LED发出光,被屏障另一侧的光电探测器检测到,并将光转换回电信号。在变压器中,初级绕组中的交流电产生磁场,在次级绕组中感应出电压,绕组之间的绝缘材料提供电流隔离。两种方法都防止直接电气连接,同时允许信号或电力传输。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 隔离电压 | 2500–5000 Vrms | Minimum for reinforced insulationIEC 60747-5-5 |
| 爬电距离 | 6–10 mm | Depends on pollution degree and material groupIEC 60664-1 |
| 电气间隙 | 5–8 mm | For basic insulation at 2500VrmsIEC 60664-1 |
| 工作温度范围 | -40–85 °C | Extended range for industrial applications |
| 存储温度范围 | -55–125 °C | Survival without damage |
| 相对湿度 | 5–95 % | Non-condensingIEC 60068-2-78 |
| 输入输出电容 | 0.4–1.0 pF | Low capacitance reduces common-mode noise |
| 数据传输速率 | 10–100 Mbps | For digital isolation, higher rates require faster optocouplers |
| 传播延迟 | 20–100 ns | Critical for timing-sensitive applications |
| 功耗 | 50–500 mW | Depends on output current and frequency |
| 绝缘电阻 | ≥10^10 Ω | Measured at 500V DCIEC 60250 |
| 重量 | 1–10 g | Typical for DIP-8 or SOIC-8 packages |
区间为行业参考值,供询价时圈定范围用,不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 大气压至1.5巴(典型封装器件) |
| other spec: | 隔离电压:2.5kV至10kV RMS,数据速率:直流至100Mbps,功率传输:高达5W |
| temperature: | -40°C至+125°C(工作范围因型号而异) |
不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
隔离屏障在输入和输出电路之间提供电流隔离,防止接地回路、减少噪声、保护免受电压尖峰影响,并通过将危险电压与低压控制电路分离来确保操作员安全。
主要类型是光耦,它使用光通过绝缘屏障传输信号;以及变压器,它通过绝缘绕组之间的电磁感应传输电力或信号。两者都实现电气隔离,同时允许信号或电力传输。
关键参数包括隔离电压、爬电距离和电气间隙、工作和存储温度范围、相对湿度、输入-输出电容、数据速率、传播延迟、功耗、隔离电阻和重量。必须针对具体型号和应用进行核实。
失效迹象可能包括传播延迟增加、隔离电阻降低或外壳物理损坏。如果屏障受损,可能无法提供足够的电流隔离,构成安全风险。
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