光电探测器基于光电效应工作，入射光子照射到光敏材料（通常为半导体）上，产生电子-空穴对，从而形成与光强度成比例的可测量电流或电压。产生的载流子被电极收集，产生光电流，可进行放大和处理。光电流的大小取决于光强度和材料的量子效率。响应时间受载流子渡越时间和器件电容的影响。光电探测器设计用于特定光谱范围，材料选择需与感兴趣波长匹配。输出信号可用于直接光测量或作为更大光学传感系统的一部分。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 光谱响应范围 | 400–1100 nm | Silicon-based; covers visible to near-infrared |
| 峰值响应波长 | 900–950 nm | Typical for Si photodiodes |
| 响应度 | 0.4–0.6 A/W | At peak wavelength |
| 暗电流 | 0.1–10 nA | At 10 V reverse bias, 25°C |
| 上升时间 | 10–100 ns | At 50 Ω load, 5 V bias |
| 有效面积直径 | 0.3–10 mm | Larger area increases capacitance |
| 电容 | 10–100 pF | At 0 V bias; affects speed |
| 工作温度 | -40–85 °C | Extended range available |
| 存储温度 | -55–125 °C | Non-operating |
| 反向击穿电压 | 30–200 V | Minimum |
| 噪声等效功率 | 1e-14–1e-12 W/√Hz | At peak wavelength, 25°C |
| 封装类型 | TO-5, TO-8, SMD | Hermetic options available |
| 重量 | 1–10 g | Depends on package |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
该产品或部件会出现在以下工业系统、设备或上级产品中。
| pressure: | 大气压至2巴 |
| temperature: | -40°C 至 +85°C |
| response time: | 1 ns 至 100 ms |
| wavelength range: | 190 nm 至 1100 nm |
3 家企业把这个产品列在自己的产品线里。卡片上的公司数据摘自各家官网，每张卡都注明这条关系的依据来自哪里。
制造商列表用于前期研究和供应商能力理解，不代表认证、排名或交易担保。
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
对于硅基光电探测器，光谱范围通常为400–1100 nm，覆盖可见光到近红外波段。峰值灵敏度通常在900–950 nm左右。这些是参考值；具体范围取决于具体型号，应与制造商确认。
暗电流是在无光条件下由于热激发载流子而产生的微小电流。它设定了可检测光强的下限，并贡献噪声。本目录中的光电探测器在10 V反向偏压和25°C下，暗电流通常为0.1–10 nA。对于低光应用，较低的暗电流通常更好。
响应速度以上升时间表征，这些器件在50 Ω负载和5 V偏压下通常为10–100 ns。它受载流子渡越时间、器件电容和负载阻抗的影响。较大的有效面积会增加电容，从而减慢响应。提高反向偏压可降低电容并提高速度。
常见封装类型包括TO-5、TO-8和SMD（表面贴装器件）。对于恶劣环境，可提供气密封装选项。封装影响安装、光学通路和热性能。重量根据封装不同为1–10 g。选择适合您的组装工艺和环境要求的封装。
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