光耦隔离器的工作原理是将输入电信号通过LED或红外发射器转换为光。然后，该光被隔离输出侧的光电晶体管、光电二极管或光电双向可控硅检测到，再将光转换回电信号。由于输入和输出通过光耦合但电气隔离，两个电路之间没有直接电气连接。这允许信号传输，同时防止接地回路、电压尖峰和噪声干扰。隔离屏障提供高电压隔离，保护敏感元件免受瞬态影响，并确保工业环境中的安全运行。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 隔离电压 | 3750–5000 Vrms | Minimum for reinforced insulationIEC 60747-5-5 |
| 电流传输比 | 50–600 % | At IF=5mA, VCE=5VIEC 60747-5-5 |
| 集电极-发射极饱和电压 | 0.1–0.4 V | At IF=10mA, IC=2mA |
| 输入正向电压 | 1.2–1.5 V | At IF=10mA |
| 输入反向电压 | 5–6 V | Maximum reverse voltage |
| 带宽 | 0.1–1 MHz | Depends on load resistance |
| 传播延迟 | 2–10 µs | For standard types |
| 工作温度范围 | -40–85 °C | Extended range available |
| 存储温度范围 | -55–125 °C | Non-operating |
| 功耗 | 100–300 mW | Total device |
| 封装类型 | DIP-4–DIP-8 | SMD variants available |
| 爬电距离 | 7–10 mm | For reinforced insulationIEC 60664-1 |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| pressure: | 不适用（固态元件） |
| other spec: | 隔离电压：2.5kV 至 10kV（典型值），数据速率：DC 至 50Mbps（因类型而异），电流传输比：20% 至 600% |
| temperature: | -40°C 至 +125°C（工作范围，因型号而异） |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
光耦隔离器在两个电路之间传输电信号，同时提供电气隔离。它可防止接地回路、电压尖峰和噪声干扰，保护敏感电子设备并确保信号完整性。
考虑所需的隔离电压、电流传输比、带宽、传播延迟和封装类型。确保元件符合特定标准，如IEC 60747-5-5加强绝缘，并与制造商确认所有参数。
对于加强绝缘，隔离电压通常为3750–5000 Vrms，依据IEC 60747-5-5。务必查阅数据表以了解具体型号的准确额定值。
CTR是输出集电极电流与输入LED电流之比，以百分比表示。对于标准光耦隔离器，在IF=5mA、VCE=5V时，CTR范围为50%至600%。它表示信号传输的效率。
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