技术参数与制造背景： 功率MOSFET阵列
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 漏源电压 | 30–100 V | Maximum voltage between drain and source |
| 连续漏极电流 | 5–50 A | At 25°C case temperature |
| 功耗 | 2–150 W | Maximum power dissipation per package |
| 导通电阻 | 5–100 mΩ | At VGS = 10V, ID = rated current |
| 栅极阈值电压 | 1–4 V | At ID = 250µA |
| 工作温度范围 | -55–150 °C | Junction temperature range |
| 输入电容 | 500–5000 pF | At VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz |
| 开关频率 | 100–1000 kHz | Typical maximum for hard-switching applications |
| 封装类型 | SOIC-8, SOIC-16, DIP-8, DIP-16 | Common package options |
| 通道数 | 2–8 | Number of MOSFETs in the array |
| 静电放电等级（人体模型） | 2000–8000 V | Human Body ModelIEC 61340-3-1 |
| 重量 | 0.1–2.0 g | Typical package weight |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
| current: | 高达200A（连续漏极电流） |
| voltage: | 高达1000V（漏源击穿电压） |
| temperature: | -55°C至+175°C（结温） |
| power dissipation: | 高达300W（取决于封装和冷却条件） |
| switching frequency: | 高达1MHz（取决于器件特性） |
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些项目是采购核对事项，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
说明目标数量、应用场景、交期和关键技术要求，用于准备 RFQ 或供应商评估。
根据目录参考，通道数通常为2至8个。但具体数量取决于型号，请与制造商核实。
目录列出每封装功耗范围为2至150瓦。此值为参考范围；实际功耗取决于具体器件和工作条件。
常见封装选项包括SOIC-8、SOIC-16、DIP-8和DIP-16。实际封装类型因型号而异，请与供应商确认。
ESD额定值（人体模型）根据IEC 61340-3-1列为2000至8000伏。这是参考范围；特定部件的具体额定值应咨询制造商。
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