功率MOSFET阵列通过施加到栅极端子的电压来控制漏极和源极端子之间的电流流动。在有源负载应用中，控制电路调制阵列中多个MOSFET的栅极电压，以创建精确、可编程的负载特性。并联配置允许比单个MOSFET实现更高的电流处理能力和更好的热分布。通过调整栅极电压，阵列可以模拟电阻、恒流、恒功率或动态负载，从而实现对电源的全面测试。
| 参数 | 典型区间 | 选型说明与越界后果 |
|---|---|---|
| 漏源电压 | 30–100 V | Maximum voltage between drain and source |
| 连续漏极电流 | 5–50 A | At 25°C case temperature |
| 功耗 | 2–150 W | Maximum power dissipation per package |
| 导通电阻 | 5–100 mΩ | At VGS = 10V, ID = rated current |
| 栅极阈值电压 | 1–4 V | At ID = 250µA |
| 工作温度范围 | -55–150 °C | Junction temperature range |
| 输入电容 | 500–5000 pF | At VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz |
| 开关频率 | 100–1000 kHz | Typical maximum for hard-switching applications |
| 封装类型 | SOIC-8, SOIC-16, DIP-8, DIP-16 | Common package options |
| 通道数 | 2–8 | Number of MOSFETs in the array |
| 静电放电等级（人体模型） | 2000–8000 V | Human Body ModelIEC 61340-3-1 |
| 重量 | 0.1–2.0 g | Typical package weight |
区间为行业参考值，供询价时圈定范围用，不构成供应商承诺。下单前请向法人制造商核实每一项数值与标准。
诱因 → 失效模式 → 工程缓解
| current: | 高达200A（连续漏极电流） |
| voltage: | 高达1000V（漏源击穿电压） |
| temperature: | -55°C至+175°C（结温） |
| power dissipation: | 高达300W（取决于封装和冷却条件） |
| switching frequency: | 高达1MHz（取决于器件特性） |
不是客户评论，也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。
这些分值是采购评估维度示例，不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。
根据目录参考，通道数通常为2至8个。但具体数量取决于型号，请与制造商核实。
目录列出每封装功耗范围为2至150瓦。此值为参考范围；实际功耗取决于具体器件和工作条件。
常见封装选项包括SOIC-8、SOIC-16、DIP-8和DIP-16。实际封装类型因型号而异，请与供应商确认。
ESD额定值（人体模型）根据IEC 61340-3-1列为2000至8000伏。这是参考范围；特定部件的具体额定值应咨询制造商。
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