Maxscend Microelectronics Company Limited
无锡市
江苏卓胜微电子（股票代码 300782）官网产品中心列有射频前端芯片产品，分射频前端分立器件（射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器）和射频前端模组两类，另有物联网芯片与低功耗蓝牙微控制器。
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- 官网产品分类
- 卓胜微 · 射频前端芯片（开关、低噪放、滤波器、功放、模组）
- 资料核查日期
- 2026-10-17
一颗芯片承担一段或整条射频链路
产品作用
射频集成电路处理的是天线与基带之间那一段高频信号。按集成程度大致分两类。一类是收发芯片：TI 的 CC1101 把频率合成器、接收机、发射机和基带调制解调器做在一起，主控单片机通过 SPI 口配置它，外面只加少量无源元件；华普微的 CMT2300A 是同类的国产 Sub-1GHz 收发芯片。[1][2] 另一类是单功能芯片，各管链路中的一段：低噪声放大器 PMA3-83LN+、通用增益放大器 TRF37A73、正交调制器 TRF37T05、频率合成器 LMX2594，多用在基站、雷达和测试仪器中。[3][4][5][6] 手机一类多频段终端的射频前端，又把射频开关、低噪放、滤波器、功放分别做成器件或组合成模组，卓胜微的产品目录就按这几类划分。[7]
工作原理
接收时，天线收到的信号先经匹配网络进入低噪声放大器，再由混频器与本振信号相乘，搬到中频或基带，经信道滤波后解调。发射方向相反：基带信号经调制器上变频，由功放放大后送往天线。本振来自锁相环锁定的压控振荡器，频率基准是一颗外接晶体。CC1101 的收、发共用 RF_P/RF_N 一对差分引脚，收发切换由片内电路完成，板上只需几个无源元件组成匹配和巴伦网络。[1]
信号依次经过的五个功能块
下表按接收方向信号经过的先后排列，功放在发射方向。收发芯片把这些功能块大多做在同一颗芯片里；单功能芯片则各做一块，由电路板把它们串成链路。材料一栏只写规格书明确标出的工艺和封装。
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| 部件 | 作用 | 材料与配置 |
|---|---|---|
| 低噪声放大器（LNA） | 接收链路的第一级放大，把天线收到的微弱信号放大，同时尽量少加噪声，它的噪声系数基本决定整条接收链的噪声底。Mini-Circuits PMA3-83LN+ 在 2 GHz、+5 V 下噪声系数典型 1.3 dB，增益典型 21.3 dB。[4] | PMA3-83LN+ 为 PHEMT 工艺单片放大器，3×3 mm 12 引脚 QFN 型封装。[4] 收发芯片中的低噪放与其它电路做在同一颗芯片上。 |
| 功率放大器（PA） | 把调制好的信号放大到天线需要的功率。CC1101 片内发射输出可编程，在所有支持的频段最高 +12 dBm；CMT2300A 最高 +20 dBm。[1][2] 需要更远距离时外加功放，TI 给 CC1101 配 CC1190 增程芯片，868 MHz 输出 +20 dBm、915 MHz 输出 +27 dBm。[1] | 收发芯片的功放与收发电路集成在同一颗芯片上；外加功放按所选型号规格书的工艺与封装。 |
| 混频器 / 调制器 | 借助本振信号，把信号在射频与中频、基带之间搬移。发射方向常用正交调制器：TI TRF37T05 把基带 I/Q 信号直接上变频到 300 MHz–4 GHz，内部以双平衡混频器实现，输出可驱动单端 50 Ω 负载。[5] | TRF37T05 为单片集成电路，4 mm×4 mm 24 引脚 VQFN 封装，3.3 V 单电源供电。[5] |
| 振荡器 / 频率合成器 | 产生本振信号，决定芯片能工作在哪些频点。CC1101 的频率合成器全部在片内，换频建立时间 75 µs，可用于跳频系统；LMX2594 是独立的宽带频率合成器芯片，输出 10 MHz–15 GHz，15 GHz 载波在 100 kHz 偏移处相位噪声 −110 dBc/Hz。[1][6] | 片内为压控振荡器与锁相环；频率基准来自外接石英晶体。CC1101 推荐 869 MHz 以下用 26 MHz 晶体、以上用 27 MHz 晶体，晶体总容差 ±40 ppm。[1] |
| 滤波器 | 选出所需信道，抑制邻道和带外干扰。CC1101 片内数字信道滤波器带宽可在 58–812 kHz 之间设置（按 26 MHz 晶体），射频端用少量电感、电容完成匹配。[1] 多频段终端另配独立射频滤波器，卓胜微把它与射频开关、低噪放、功放并列为射频前端器件。[7] | 片内信道滤波由芯片电路实现；片外为电感、电容组成的匹配网络，或独立的射频滤波器器件。[1][7] |
射频指标连同频点和电压一起读
每一项都写出型号和测试条件。射频芯片的指标随频点、电源电压和寄存器设置而变，同一颗芯片换一个测试点就可能差几 dB，横向比较要放在同一频点、同一数据速率下。
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| 参数 | 资料与范围 | 选型含义 |
|---|---|---|
| 工作频率范围 | CC1101：300–348、387–464、779–928 MHz 三段 [1]；CMT2300A：127–1020 MHz [2]；TRF37A73：1–6000 MHz [3]；PMA3-83LN+：0.5–8.0 GHz [4]。 | 收发芯片按产品销售地允许的频段选；宽带放大器的范围写得很宽，实际用法是看所用频点上的增益和噪声系数。 |
| 输出 1 dB 压缩点（P1dB） | PMA3-83LN+ 在 2 GHz：+20.7 dBm（+6 V）、+19.1 dBm（+5 V）[4]；TRF37A73 在 2000 MHz：14.5 dBm [3]。 | P1dB 是增益比小信号时下降 1 dB 处的输出功率，链路中最大信号要低于它并留余量。收发芯片一般直接给最大发射功率，例如 CC1101 的 +12 dBm。[1] |
| 噪声系数（NF） | PMA3-83LN+ 在 2 GHz：典型 1.3 dB，最大 1.7 dB（+6 V）[4]；通用增益放大器 TRF37A73：4.5 dB [3]。 | 接收第一级选低噪声系数的器件。收发芯片通常改给灵敏度：CC1101 在 433 MHz、0.6 kBaud、1% 误包率下为 −116 dBm。[1] |
| 功耗（工作电流） | CC1101：接收 14.7 mA（868 MHz、1.2 kBaud），+12 dBm 发射 34.2 mA，休眠 200 nA [1]；CMT2300A：接收 8.5 mA（−121 dBm 灵敏度时），13 dBm 发射 23 mA [2]；TRF37T05：工作时总电流 306 mA（3.3 V，约 1 W）[5]。 | 电池产品按接收、发射、休眠三种状态的电流和各自时间占比算平均电流；瓦级器件按热阻和结温配散热。 |
| 封装 | CC1101：4×4 mm 20 引脚 QLP [1]；CMT2300A：3×3×0.75 mm QFN16 [2]；TRF37A73：2×2 mm WSON [3]；LMX2594：6×6 mm 40 引脚 VQFN [6]。 | Mini-Circuits 说明其 QFN 型封装引线电感低、与 PCB 热接触好 [4]。按贴片能力、板面积和散热路径选封装，焊盘与钢网照规格书推荐图形做。 |
| 工作温度范围 | CC1101：−40～85 °C [1]；TRF37T05：环境温度 −40～85 °C [5]；PMA3-83LN+：−40～+105 °C（以接地引脚温度计）[4]。 | 按整机内最热位置的器件温度选档；放大器类同时看结温，TRF37A73 推荐工作结温 −40～125 °C。[3] |
| 静电放电等级（HBM） | CC1101：HBM 750 V，CDM 400 V [1]；TRF37A73：HBM、CDM 均为 ±1 kV [3]；TRF37T05：HBM ±4000 V，CDM ±250 V [5]；PMA3-83LN+：HBM Class 1A（250～<500 V）[4]。 | TI 规格书引用 JEDEC JEP155：500 V HBM 在标准静电控制流程下可以安全生产。[3] 低于这一档的器件，仓储、贴片和测试工位的静电防护要加严。 |
| 输入 / 输出阻抗 | TRF37A73 输入输出内部匹配到 50 Ω [3]；PMA3-83LN+ 按 50 Ω 匹配 [4]；CC1101 为差分 RF_P/RF_N 引脚，按 TI 参考设计外接匹配与巴伦网络 [1]。 | 内部匹配到 50 Ω 的放大器可直接串在 50 Ω 微带线上；差分端口的收发芯片照参考设计布板，匹配元件值随频段改。 |
| 增益 | PMA3-83LN+ 在 2 GHz：典型 22.1 dB（+6 V）、21.3 dB（+5 V）[4]；TRF37A73：12 dB [3]。 | 各级增益与噪声、线性度一起分配：前级增益足够才能压低后级噪声的影响，过高则让后级先进入压缩。 |
| 三阶截点（IIP3 / OIP3） | 规格书多给输出三阶截点 OIP3：PMA3-83LN+ 在 2 GHz 为 +35.2 dBm（+6 V）[4]；TRF37A73 在 2000 MHz 为 28.5 dBm [3]；TRF37T05 在 1850 MHz 为 30 dBm [5]。 | 输入截点约等于 OIP3 减去增益，比较时换到同一侧：按上面数据，PMA3-83LN+ 的 IIP3 约 35.2 − 22.1 ≈ 13 dBm（编辑换算）。 |
| 工艺 | TRF37A73 为 SiGe 达林顿放大器 [3]；PMA3-83LN+ 为 PHEMT 工艺 [4]。 | 工艺影响噪声、线性度、耐压和成本；同一功能可能有不同工艺的芯片，订货以具体型号为准。 |
| 环境温度（含储存） | CC1101 工作 −40～85 °C、储存 −50～150 °C [1]；PMA3-83LN+ 储存 −65～+150 °C [4]。 | 温度变化会让电流和灵敏度漂移，TI 给出了 CC1101 在不同温度和电压下的发射电流与灵敏度表，可按产品实际温区查。[1] |
| 电源电压 | CC1101、CMT2300A：1.8–3.6 V [1][2]；TRF37T05：3.15–3.6 V，标称 3.3 V [5]；PMA3-83LN+：+5 V 或 +6 V [4]。 | CC1101 要求所有电源引脚电压相同，电源绝对最大值 3.9 V。[1] 电池直供时，按电池放电末期电压选能覆盖的芯片。 |
| 射频输入功率上限 | 绝对最大值：CC1101 输入 +10 dBm [1]；TRF37A73 输入 10 dBm [3]；PMA3-83LN+ 连续 +16 dBm，+19 dBm 最长 5 分钟 [4]。 | 接收芯片离另一台发射机的天线很近，或测试时直连信号源，要用衰减器把输入压在上限以下。TI 写明在任何情况下都不得超过绝对最大额定值，超出可能造成永久损坏。[1] |
| 工作频点 | 订货写明具体频点与信道带宽。CC1101 用 27 MHz 晶体时，387–464 MHz 段的下限变为 392 MHz [1]；TRF37T05 本振输入 300–4000 MHz [5]。 | 同一颗芯片在不同频点的灵敏度、发射电流和匹配元件值都不同，按实际频点查规格书对应的表。 |
| 静电防护要求 | TI 在 CC1101 规格书中标注其为静电敏感器件，要求操作时采取防护以免永久损坏 [1]；PMA3-83LN+ 的 HBM 等级为 Class 1A（250～<500 V）[4]。 | 从拆包、贴片、返修到测试全程按静电敏感器件管理，防护强度按器件中 HBM、CDM 等级最低的那一颗定。 |
通信距离先折成两个数：发射功率和灵敏度
两台设备能通多远，第一步看发射功率与接收灵敏度之差，也就是不计天线增益、线损和衰落余量时的链路预算。CC1101 最高发射 +12 dBm，433 MHz、0.6 kBaud 下灵敏度 −116 dBm，两者相减为 128 dB。[1] CMT2300A 标称最高 +20 dBm、灵敏度 −121 dBm，相减为 141 dB。[2] 以上为编辑按标称值做的减法，实际距离还取决于天线、安装高度和环境。
两款芯片的灵敏度测试点各不相同，比较时要让对方给出同一频点、同一数据速率下的灵敏度。给 CC1101 加上 CC1190 增程芯片后，TI 给出 868 MHz、1.2 kBaud 下灵敏度 −118 dBm、输出 +20 dBm 的组合数据。[1]
电池产品还要把链路预算和电流一起算：CC1101 在 +12 dBm 发射时 34.2 mA，CMT2300A 在 13 dBm 发射时 23 mA。[1][2]
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收发一体，还是按功能拆成几颗芯片
抄表、安防报警、楼宇自动化和无线传感节点多用 Sub-1GHz 收发一体芯片。CC1101 配一颗单片机和少量无源元件即可组成完整射频部分，收发各有 64 字节 FIFO，支持 2-FSK、4-FSK、GFSK、MSK、OOK 等调制，数据速率 0.6–600 kbps。[1] CMT2300A 同样带 64 字节收发 FIFO 和 3+1 线 SPI，速率 FSK 0.5–300 kbps、OOK 0.5–40 kbps。[2]
基站发射机、雷达和测试仪器追求线性度和频率覆盖，常把链路拆开：LMX2594 产生本振，TRF37T05 把 I/Q 基带上变频，TRF37A73 这类 50 Ω 增益放大器做中间级或本振驱动，PMA3-83LN+ 这类低噪放放在接收前端。[3][4][5][6] 拆开的好处是每一级可以单独选型，代价是电流、板面积和调试工作量都更大，TRF37T05 一颗的工作电流就有 306 mA。[5]
手机和多频段终端的射频前端，则把射频开关、低噪放、滤波器、功放各做成器件或组合成模组。[7]
第一版电路板：匹配网络、晶体、焊接和静电
收发芯片的射频性能很大程度在板上。CC1101 的灵敏度、电流等数据都是在 TI 参考设计板上测得的，匹配与巴伦网络的元件布局应照参考设计复制，换频段时同步更换元件值。[1] 晶体按频段选 26 MHz 或 27 MHz，总容差控制在 ±40 ppm 以内。[1]
焊接方面，CC1101 的回流焊峰值温度上限为 260 °C，依据 IPC/JEDEC J-STD-020；PMA3-83LN+ 的湿敏等级为 MSL1。[1][4] 静电方面，同一块板上的器件等级可能差很多，PMA3-83LN+ 的 HBM 只在 250～<500 V 档，而 TRF37T05 达到 ±4000 V，产线防护按最弱的一颗安排。[4][5]
向芯片原厂或代理商询价时，下表这些资料一并要来，后续画板、认证和来料检验都要用。
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| 要来的资料 | 用在哪一步 |
|---|---|
| 完整规格书（含版本号）和勘误 | 核对所用频点、速率、电压下的灵敏度、发射功率和电流 |
| 参考设计原理图、PCB 文件和物料表 | 照抄匹配网络与晶体电路，缩短调试 |
| 参考设计的射频测试报告及所依据的无线电规则 | CC1101 面向 EN 300 220（欧洲）和 FCC Part 15（美国）设计，整机认证前先看参考板的测试结果 [1] |
| 封装图、推荐焊盘、MSL 等级和回流曲线 | 钢网设计与贴片工艺 |
| ESD 等级（HBM、CDM） | 安排产线静电防护 |
| 供货状态、停产通知政策和交期 | 长周期产品的备料 |
关联的应用系统与部件
以下入口来自产品关系，用于继续查阅；具体机型的装配和兼容性仍需对应型号资料。
应用系统
关联部件
资料来源与适用范围
核对日期：2026-10-17。性能数据取自原厂规格书或产品页，均注明型号和测试条件；链路预算与 IIP3 为据此做的编辑换算。
- Texas Instruments — CC1101 Low-Power Sub-1 GHz RF Transceiver 规格书（SWRS061I）第1–3页特性与 CC1190 增程数据，第8页表1、表2（绝对最大额定值、ESD、回流温度、工作条件），第10页电流，第12页信道滤波带宽，晶体与巴伦章节。
- 华普微（HOPERF）— CMT2300A 127–1020 MHz 无线收发芯片产品页产品概述与基础参数：频率范围、发射功率、灵敏度、电源电压、收发电流、调制方式与速率、QFN 封装尺寸；用于国产收发芯片对照。
- Texas Instruments — TRF37A73 1–6000 MHz RF Gain Block 规格书（SLASE39）第1页特性（增益、噪声系数、P1dB、OIP3、50 Ω 匹配），6.1–6.4 节额定值、ESD 与 JEP155 注释、结温，SiGe 达林顿结构说明。
- Mini-Circuits — PMA3-83LN+ 低噪声宽带 MMIC 放大器规格书（REV.E）第1–2页：PHEMT 工艺、0.5–8.0 GHz、噪声系数、增益、P1dB、OIP3、电流、最大额定值；后页 ESD 等级（HBM Class 1A）与 MSL1。
- Texas Instruments — TRF37T05 300 MHz–4 GHz 正交调制器规格书（SLWS239A）第1页特性与说明（OIP3、双平衡混频器结构、VQFN 封装），6.1–6.5 节绝对最大额定值、ESD、推荐电压、总电流与本振输入。
- Texas Instruments — LMX2594 15 GHz 宽带频率合成器规格书（SNAS696C）第1页特性与说明：10 MHz–15 GHz 输出、相位噪声、3.3 V 单电源、6×6 mm VQFN 封装；用于振荡器/频率合成器部件。
- 卓胜微电子 — 射频前端芯片产品目录产品中心分类：射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器、射频前端模组；用于说明终端射频前端的器件划分。