行业组件数据 · 2026

TVS二极管阵列

繁體:TVS二極體陣列

瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列是一种多通道半导体器件,用于保护敏感电子电路免受电压瞬变、静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)的影响,适用于工业线路保护应用。

技术定义与适配语境
典型 TVS二极管阵列 会按材料、尺寸公差、适配关系和失效风险在 电气设备制造 中评估。

瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列是一种多通道半导体器件,设计用于在工业线路保护应用中保护敏感电子电路免受电压瞬变、静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)的影响。它提供跨多条信号线的双向钳位,具有低电容和快速响应时间。 TVS二极管阵列通过雪崩击穿或齐纳击穿机制工作。当电压超过击穿阈值时,二极管导通,将瞬态电压钳位到安全水平,并将多余电流从受保护电路分流。阵列配置允许同时保护多条线路,且信号失真最小。

组件规格

定义
瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列是一种多通道半导体器件,设计用于在工业线路保护应用中保护敏感电子电路免受电压瞬变、静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)的影响。它提供跨多条信号线的双向钳位,具有低电容和快速响应时间。

TVS二极管阵列通过雪崩击穿或齐纳击穿机制工作。当电压超过击穿阈值时,二极管导通,将瞬态电压钳位到安全水平,并将多余电流从受保护电路分流。阵列配置允许同时保护多条线路,且信号失真最小。
工作原理
TVS二极管阵列通过雪崩击穿或齐纳击穿机制工作。当电压超过击穿阈值时,二极管导通,将瞬态电压钳位到安全水平,并将多余电流从受保护电路中分流。阵列配置允许同时保护多条线路,且信号失真最小。
材料
硅半导体带钝化层引线框架(铜合金)模塑化合物(环氧树脂)金或铜键合线
通道数
2 to 8lines
电容
3 to 50pF
响应时间
<1ns
钳位电压
9 to 58V
击穿电压
5 to 36V
峰值脉冲电流
1 to 10A
工作温度
-55 to 150°C
标准
IEC 61000-4-2IEC 61000-4-4ISO 7637-2AEC-Q101

行业分类与别名

TVS二极管阵列 的常用贸易名称、技术标识和检索关键词。

上级产品

该组件会出现在以下整机或工业产品中。

FMEA · 风险与缓解

诱因 → 失效模式 → 工程缓解

超出器件额定值的过大瞬态能量->灾难性短路或开路->实施上游熔断,选择具有适当能量额定值的器件,使用多级保护
PCB布局不良导致保护路径中产生电感->由于电压过冲导致保护效果降低->最小化TVS阵列与受保护IC之间的走线长度,使用接地平面,遵循制造商布局指南

工业生态与工程逻辑

适配说明
该TVS二极管阵列适用于PLC I/O模块、工业通信接口(如RS-485、CAN、以太网)、传感器输入电路和电机驱动控制电路。订购前请确认通道数、钳位电压和电容等参数是否符合您的应用需求。
工程风险
  • 电压额定值选择不当
  • 持续过电压下的热失控
  • 高速电路中电容引起的信号劣化

合规与检测

公差
击穿电压公差±5%,钳位电压公差±10%
检测方法
IEC 61000-4-2 (ESD: contact 4kV, air 8kV), IEC 61000-4-4 (EFT: 1kV), ISO 7637-2 (automotive transients)

制造该组件的工厂

来自 CNFX 组件能力表的相关制造商资料。

结合厂家产品范围与来源资料比较需求,联系时说明规格、数量和交期。

采购评估维度

不是客户评论,也不是实时热度。以下维度用于前期 RFQ 准备和供应商评估。

技术文档
4/5
制造能力
4/5
可检验性
5/5
供应商透明度
3/5

这些分值是采购评估维度示例,不代表真实客户评分、具体国家买家反馈或实时询盘。

相关组件

常见问题

单个TVS二极管和TVS二极管阵列有什么区别?

TVS二极管阵列将多个保护通道集成在一个封装中,为多线路接口提供节省空间的保护,且各通道特性匹配,而单个二极管只保护单条线路。

TVS二极管阵列如何保护正负瞬态?

它们使用双向TVS二极管,当任一极性的电压超过击穿阈值时,双向导通,提供对称保护。

我可以直接联系工厂吗?

CNFX 是开放目录,不是交易平台或采购代理。工厂资料和表单用于帮助你准备直接沟通。

CNFX Industrial Component Index · 电气设备制造

数据基础

CNFX 制造商资料、技术分类、公开产品信息和持续合理性检查。

初步技术归类
本页用于结构化准备研究、RFQ 和供应商评估,不替代买方自己的供应商资质审查、标准核验和技术批准。

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需要制造 TVS二极管阵列?

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URN:CNFX:ME:UNIT:TVS_DIODE_ARRAY
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